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刘桂友

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇国内会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇单刀双掷
  • 3篇单刀双掷开关
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇高线性
  • 3篇GAAS_M...
  • 3篇大功率
  • 2篇塑料封装
  • 2篇功率
  • 2篇功率开关
  • 2篇封装
  • 2篇大功率开关
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇移动通信
  • 1篇移动通信用
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双栅
  • 1篇通信

机构

  • 4篇南京电子器件...

作者

  • 4篇刘桂友
  • 4篇翁长羽
  • 4篇许正荣
  • 4篇陈新宇

传媒

  • 2篇2006全国...
  • 1篇2006年中...
  • 1篇中国通信集成...

年份

  • 4篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关
利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离...
刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
关键词:开关集成电路大功率开关
文献传递
GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关
利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的 GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔...
刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
关键词:砷化镓高线性大功率PHEMT
文献传递
移动通信用GaAs MMIC双栅单刀双掷开关
利用GaAs双栅结构FET管的高功率处理能力,以GaAs PHEMT工艺平台和集成电路设计技术为基础,研制开发了一种适用于移动通信基站和手机的GaAs MMIC单刀双掷大功率开关集成电路,并且采用低费塑料封装,封装形式为...
刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
关键词:单刀双掷开关微波集成电路塑料封装
文献传递
GaAs PHEMT大功率高线性开关的研究
PHEMT材料采用外延手段生长有源层,可以得到比普通GaAs单晶片更好的器件特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件.利用GaAs PHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通...
许正荣刘桂友陈新宇翁长羽
关键词:单刀双掷高线性大功率开关微波单片集成电路塑料封装
文献传递
共1页<1>
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