许正荣
- 作品数：19 被引量：18H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 基于LTCC技术的手机天线开关滤波器
- 2013年
- 采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。
- 朱彦青许正荣戴雷陈新宇
- 关键词：低温共烧陶瓷低通滤波器
- 基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块被引量：1
- 2011年
- 描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通路插入损耗不大于1.25 dB,其余各通路插损不大于1.35 dB;GSM收发通路间隔离度不小于43 dB,与UMTS通路间隔离度不小于40 dB;GSM两个发射通路二次谐波抑制比分别大于66dBc和54 dBc。
- 赵鹏许正荣李晓鹏钱峰
- 关键词：插入损耗隔离度低通滤波器
- 移动通信用射频多芯片模块
- 2013年
- I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块，模块总尺寸为5mm×5mm×lmm，其内部结构见图l。从技术角度来看，该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先，它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内，减小了产品尺寸，降低了成本。其次，采用MCM封装，通过合理布线，有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。
- 许正荣郑远张有涛艾萱陈新宇杨磊
- 关键词：多芯片模块数控衰减器高密度封装射频信用
- 移动通信用GaAs MMIC SPDT开关
- 本文采用GaAs集成电路的设计和工艺技术，研制开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关集成电路，电路拓扑采用串并结构，在0.9GHz，插入损耗小于0.9dB，隔离度典型值为50dB，产品性能指标达到国外同类产品水平...
- 陈新宇许正荣蒋幼泉张斌李拂晓邵凯
- 关键词：电子开关单刀双掷芯片设计
- 文献传递
- GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关
- 利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的 GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0．6dB,隔...
- 刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
- 关键词：砷化镓高线性大功率PHEMT
- 文献传递
- 移动通讯用GaAs MMIC开关
- 采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs SPST开关集成电路,在0.9GHz,插入损耗小于0.7dB,隔离度大于45dB.产品性能指标达到国外同类产品,并可以形成批量生产能力.
- 陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉许正荣袁江龙邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓开关金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路
- 文献传递
- GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关
- 利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离...
- 刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
- 关键词：开关集成电路大功率开关
- 文献传递
- 新型砷化镓高隔离开关
- 基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和C...
- 李晓鹏王志功许正荣张有涛陈新宇钱峰
- 关键词：砷化镓
- 基于CMOS SOI工艺的射频开关设计被引量：7
- 2014年
- 采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。
- 蒋东铭陈新宇许正荣张有涛
- 关键词：互补金属氧化物半导体射频开关
- 内置驱动器的六位GaAs PHEMT宽带单片数控衰减器被引量：6
- 2010年
- 采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难度。产品由GaAsPHEMT标准工艺线加工。测试结果表明,在0.05～3.0GHz带内,插入损耗≤2.3dB@3GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,衰减精度在±(0.3dB+3%)以内,1dB压缩功率点达到了27dBm,IP3超过了+45dBm。
- 李娜许正荣李晓鹏陈新宇
- 关键词：砷化镓数控衰减器增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
