黄子乾
- 作品数：12 被引量：14H指数：2
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- MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
- 2004年
- 分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1.5nm、3～ 4nm及 12～ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。
- 王向武李肖张岚黄子乾潘彬
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3
- 2013年
- 采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。
- 蒋东铭陈新宇杨立杰黄子乾
- 关键词：毫米波砷化镓PIN二极管单刀双掷开关微波单片集成电路
- S波段20W单片功率PIN限幅器
- 2009年
- 彭龙新蒋幼泉黄子乾杨立杰李建平
- 关键词：PIN限幅器S波段PIN二极管低噪声放大器GAAS非线性模型
- 用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：5
- 2006年
- 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。
- 黄子乾李肖潘彬张岚
- 关键词：金属有机化合物气相淀积
- 基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），
- 赵岩程伟吴立枢吴璟石归雄黄子乾
- 关键词：集成技术异构集成SI键合技术晶体管
- 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
- 2005年
- 通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
- 王向武黄子乾潘彬李肖张岚
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- 基于GaAs PIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片
- 采用3英寸圆片GaAs PIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAs PIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25～40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,...
- 蒋东铭陈新宇蒋幼泉黄子乾冯欧
- 关键词：毫米波GAASPIN二极管单刀单掷开关单片
- 文献传递
- 毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片被引量：1
- 2006年
- 采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波优于1．35，隔离度大于35dB．pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W，GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向pin二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作．
- 陈新宇蒋幼泉许正荣黄子乾李拂晓
- 关键词：毫米波GAASPIN二极管开关单片
- 1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片被引量：2
- 2007年
- 采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。
- 陈新宇冯欧蒋幼泉许正荣黄子乾李拂晓
- 关键词：砷化镓PIN二极管开关单片
- 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
- 2004年
- 用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。
- 王向武张岚黄子乾潘彬李肖李忠辉
- 关键词：铝镓砷碳掺杂激光器
