张岚
- 作品数：15 被引量：15H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究被引量：2
- 2001年
- 采用 CCl4 作为碳掺杂源 ,进行了重掺碳 Ga As层的 L P- MOCVD生长 ,并且对掺杂特性进行了研究 ,研究了各生长参数对掺杂的影响。CCl4 流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温度、减小 / 比、降低生长压力 ,都能较大的提高掺杂浓度。通过改变 CCl4 流量 ,在生长温度为5 5 0～ 6 5 0℃、 / 比为 15～ 4 0 ,生长压力在 1× 10 4 ～ 4× 10 4 Pa的范围内 ,均能得到高于 2× 10 19/cm3 的掺碳 Ga As外延层 ,最高掺杂浓度为 8× 10 19/
- 王向武程祺祥张岚
- 关键词：砷化镓碳掺杂
- MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
- 2004年
- 分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1.5nm、3～ 4nm及 12～ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。
- 王向武李肖张岚黄子乾潘彬
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- 原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系
- 利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，...
- 李忠辉董逊张岚
- 关键词：位错密度外延层金属有机物化学气相沉积电学性质
- 文献传递
- 聚甲基丙烯酸甲酯LB膜用作高分辨率电子束抗蚀层的研究
- 1994年
- 应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。
- 鲁武顾宁韦钰沈浩瀛张岚
- 关键词：LB膜电子束刻蚀抗蚀剂PMMA
- 扫描电镜电子束纳米刻蚀
- 1994年
- 扫描电镜电子束纳米刻蚀鲁武，顾宁，陆祖宏，韦钰（东南大学分子与生物分子电子学实验室，南京２１００１８）沈浩赢，张岚（南京电子器件研究所，南京２１００１６）随着超大规模集成电路集成度的提高，尤其是某些特种器件如高电子迁移率场效应管、高频声表面波器件的出...
- 鲁武顾宁陆祖宏韦钰沈浩赢张岚
- 关键词：SEM电子束刻蚀VLSI
- 用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：5
- 2006年
- 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。
- 黄子乾李肖潘彬张岚
- 关键词：金属有机化合物气相淀积
- 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
- 2005年
- 通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
- 王向武黄子乾潘彬李肖张岚
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
- 2004年
- 用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。
- 王向武张岚黄子乾潘彬李肖李忠辉
- 关键词：铝镓砷碳掺杂激光器
- 4H-SiC同质外延中的缺陷
- 从实验出发,有LPCVD外延系统在偏向<110>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微表征方法探讨了CVD法...
- 李哲洋刘六亭董逊张岚许晓军柏松
- 关键词：微管位错扫描电子显微镜外延层
- 文献传递
- 3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长
- 利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异...
- 李忠辉李亮董逊张岚姜文海
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气
- 文献传递
