潘彬
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
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- MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
- 2004年
- 分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1.5nm、3～ 4nm及 12～ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。
- 王向武李肖张岚黄子乾潘彬
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
- 2005年
- 通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
- 王向武黄子乾潘彬李肖张岚
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- 用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：5
- 2006年
- 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。
- 黄子乾李肖潘彬张岚
- 关键词：金属有机化合物气相淀积
- 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
- 2004年
- 用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。
- 王向武张岚黄子乾潘彬李肖李忠辉
- 关键词：铝镓砷碳掺杂激光器
