翁长羽
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 824～849 MHz高效率InGaP/GaAs HBT CDMA手机功率放大器
- 利用InGaP/GaAs HBT技术研制了824～849 MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5％,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dB...
- 郑远钱峰应海涛翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：电路性能电流增益
- 文献传递
- 移动通信用GaAs MMIC双栅单刀双掷开关
- 利用GaAs双栅结构FET管的高功率处理能力,以GaAs PHEMT工艺平台和集成电路设计技术为基础,研制开发了一种适用于移动通信基站和手机的GaAs MMIC单刀双掷大功率开关集成电路,并且采用低费塑料封装,封装形式为...
- 刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
- 关键词：单刀双掷开关微波集成电路塑料封装
- 文献传递
- GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关
- 利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的 GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0．6dB,隔...
- 刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
- 关键词：砷化镓高线性大功率PHEMT
- 文献传递
- 一种200V/100A VDMOS器件开发被引量：1
- 2010年
- 分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P阱推进等。流水所得VDMOS实测结果表明,该器件反向击穿特性良好,栅氧耐压达到本征击穿,阈值电压2.8V,导通电阻仅25mΩ,器件综合性能良好。
- 焦世龙翁长羽晋虎
- 关键词：功率器件元胞
- 2．1GHz CMOS低噪声放大器
- 2008年
- 采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
- 铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽
- 关键词：射频低噪声放大器噪声系数
- GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关
- 利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离...
- 刘桂友许正荣陈新宇翁长羽
- 关键词：开关集成电路大功率开关
- 文献传递
- 900MHz高效率GaAs HBT GSM手机功率放大器
- 采用2μm GaInP/GaAs HBT工艺研制了GSM 900MHz制式终端应用功率放大器.放大器为3级,输出级匹配电路在PCB上实现,芯片尺寸:0.9×0.8 mm2.在3.2V、880～915 MHz下,达到:小信...
- 应海涛郑远钱峰翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：异质结双极型晶体管全球移动通信系统功率放大器
- 文献传递
- GaAs PHEMT大功率高线性开关的研究
- PHEMT材料采用外延手段生长有源层,可以得到比普通GaAs单晶片更好的器件特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件.利用GaAs PHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通...
- 许正荣刘桂友陈新宇翁长羽
- 关键词：单刀双掷高线性大功率开关微波单片集成电路塑料封装
- 文献传递
