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李希有

作品数：10 被引量：16H指数：2
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
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共 31 条 记 录，以下是 1-10
张伟
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT 锗硅异质结双极晶体管 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊小义
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT HBT SIGE 多晶发射极 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈长春
供职机构：信阳师范学院物理与电子信息工程学院
研究主题：SIGE 超晶格薄膜 单片 HBT 红外加热
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周卫
供职机构：清华大学
研究主题：晶圆片 半导体制造设备 激光 半导体制造技术 激光加工
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘爱华
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE 低噪声 SIGE_HBT 微波 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李高庆
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 锗硅异质结双极晶体管 发射极 发射区 多晶硅发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
仲涛
供职机构：清华大学
研究主题：RIE 集成电路 正交试验 铝 VLSI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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