张伟
- 作品数：29 被引量：25H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学兵器科学与技术更多>>
- Al-Si合金RIE参数选择被引量：3
- 2004年
- 采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺。
- 李希有周卫张伟仲涛刘志弘
- 关键词：反应离子刻蚀正交试验刻蚀速率
- UHVCVD低温外延的表面粗糙度研究
- 本文利用AFM测量不同生长条件下的Si或SiGe外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SiGe外延材料,实践中发现粗糙度改变了表面对光的作用,因此可利用所谓的'氧化层'厚度在一定程度上间...
- 张伟岳磊王玉东
- 关键词：粗糙度超高真空化学气相沉积
- 文献传递
- SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应被引量：2
- 2007年
- 测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.
- 刘书焕林东生郭晓强刘红兵江新标朱广宁李达王祖军陈伟张伟周辉邵贝贝李君利
- 关键词：SIGEHBT反应堆
- 不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究被引量：5
- 2013年
- 对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),在不同辐照剂量率下进行60Coγ射线的辐照效应与退火特性的研究.测量结果表明,两种辐照剂量率下,随着辐照总剂量增加,晶体管基极电流增大,共发射极电流放大倍数降低,且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关,低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重.在经过与低剂量率辐照等时的退火后,高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低,即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS).本文对相关的物理机理进行了探讨分析.
- 孙亚宾付军许军王玉东周卫张伟崔杰李高庆刘志弘
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管辐照效应
- Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究
- 2006年
- 实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（SiGe）2从C49相到C54相的转变。物相分析结果显示，其相转变温度在760～800℃之间。结合实验结论，对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGeHBT进行了退火温度的优化，其适合的高温退火温度为850℃左右。
- 李翊张伟许军陈长春单一林熊小义李希有刘志弘钱佩信
- 关键词：SIGEHBTRTA温度特性
- 用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究被引量：1
- 2004年
- 利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显影响 ,在 70 0℃下生长的 Si外延层的过渡区厚度为 0 .16 μm,而在 5 0 0℃下仅为 0 .0 6 μm,且杂质分布非常陡峭 .X射线双晶衍射分析表明在 70 0℃下生长的 Si外延层的质量很高 .制作的锗硅异质结晶体管(Si Ge HBT)的击穿特性很硬 ,击穿电压为 14 .5 V,在 VCB=14 .0 V下的漏电流仅为 0 .3μA;输出特性很好 ,在 VCE=5 V,IC=3m A时的放大倍数为 6
- 黄文韬陈长春李希有沈冠豪张伟刘志弘陈培毅钱佩信
- 关键词：UHV/CVD硅外延SIGEHBT
- 多晶发射极微波SiGe/Si HBT
- 本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5'圆片0.8umCMOS工艺线上,研制...
- 张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信
- 关键词：SIGEHBTUHV/CVD多晶发射极
- 文献传递
- BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)被引量：1
- 2004年
- 在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在较大 IC范围内 ,电流增益均非常稳定 .在直流工作点 IC=4 0 m A ,VCE=8V测得 f T为 7GHz,表现出较大的电流处理能力 .在 B类连续波条件下 ,工作频率为 3GHz时 ,测得输出功率为 31d Bm,Gp 为10 d B,且 PAE为 33.3% .测试结果表明 ,单片成品率达到了 85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平 .
- 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信
- 关键词：SIGEHBTFT
- 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)被引量：3
- 2003年
- 研制成功了可商业化的 75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料 .研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件 ,其性能为 :β =60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指 ,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷 ,该工艺总共只有 6步光刻 ,与CMOS工艺兼容且 (因多晶发射极 )无需发射极外延层的生长 ,这些优点使其适合于商业化生产 .利用 60指和 1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器 .60指功放在 90 0MHz和 3 5V/ 0 2A偏置时在 1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE =2 2dBm/ 1 1dB/ 2 6 1 % .1 2 0指功放 90 0MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE =33 3dBm (2 1W ) / 1 0 3dB/ 33 9% @1 1V/ 0 52A .
- 刘志农熊小义黄文韬李高庆张伟许军刘志弘林惠旺许平陈培毅钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波功率放大器
- 微波低噪声SIGE HBT的研发(摘要)
- 作为将能带工程引入硅器件的最成功范例, SIGE HBT出色的高频功率和噪声性能,加之与硅集成电路工艺的良好兼容性,使其器件及其集成电路产品具有优异的性价比,因而已经广泛应用于无线通信、全球定位系统、无线局域网等领域...
- 张伟钱文生周天舒季伟李昊刘鹏黄景丰周伟顾学强付军王玉东李高庆崔杰赵悦许平刘志弘周正良
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