周卫
- 作品数：87 被引量：40H指数：4
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
- IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺
- 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火，控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线运动，形成激光光斑对硅圆片背面进行全面积的扫描，使硅...
- 刘志弘严利人周卫刘朋
- 文献传递
- 一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置
- 本发明公开了属于半导体制造设备及半导体超浅结制造技术范围的一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置。该扫描装置为激光束固定不动，A、B双加热片台的结构完全相同，并排固定于加热片台固定板上面，加热片台固定板下面固定X2平移...
- 周卫严利人刘朋窦维治
- 一种高产率的真空激光处理装置及处理方法
- 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的真空激光处理装置及处理方法。所述装置由多个真空激光处理腔构成。并在多个真空的激光处理腔外，配置了环形轨道和取送片机械手，机械手在环形轨道上运行；激光光束位于多个真空激...
- 严利人周卫刘朋窦维治刘志弘
- 文献传递
- 高性能及新颖性A/D转换器技术综述被引量：8
- 2008年
- 集成模数转换技术是模拟集成电路中一个重要的分支。随着近几十年集成电路制造技术的飞速发展,集成A/D转换器的性能也在不断地提升。文章在总结归纳近期技术文献的基础上,概述了A/D转换器在高精度和高速度两个主要发展方向上的关键技术;介绍了采用新颖结构形式的A/D转换器,以及与先进设计工具及设计流程相关的技术。文章旨在给从事高性能A/D转换器设计的工程技术人员提供一个实用的技术参考点。
- 黄伟严利人周卫
- 关键词：A/D转换器高速A/D转换器
- 多孔硅层湿法腐蚀现象的研究被引量：10
- 2000年
- 阳极氧化法制备的多孔硅层分别经 1% HF、 1% NH3 / H2 O2 和 0 .0 5 % Na OH三种溶液在室温下进行湿法腐蚀 ,并用傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和扫描电子显微镜 (SEM)对其变化进行了研究。腐蚀后多孔硅的表面形貌出现明显的刻蚀现象。红外吸收光谱表明 ,在用 1% NH3 / H2 O2 溶液腐蚀时 ,多孔硅层中 Si- O键和 Si- H键的强度增加 ,H- O键的强度下降 ;用 1% HF溶液和 0 .0 5 % Na OH溶液的腐蚀结果正好相反。 0 .0 5 %Na OH溶液对多孔硅层的腐蚀现象类似于强碱性溶液对单晶硅腐蚀表现出的各向异性 ,对多孔硅层厚度的腐蚀速度比 1%
- 周卫福田芳雄古屋一夫
- 关键词：多孔硅傅里叶变换红外光谱湿法腐蚀阳极氧化
- SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法及SiC功率MOSFET器件
- 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层...
- 周卫严利人刘道广刘志弘
- 不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究被引量：5
- 2013年
- 对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),在不同辐照剂量率下进行60Coγ射线的辐照效应与退火特性的研究.测量结果表明,两种辐照剂量率下,随着辐照总剂量增加,晶体管基极电流增大,共发射极电流放大倍数降低,且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关,低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重.在经过与低剂量率辐照等时的退火后,高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低,即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS).本文对相关的物理机理进行了探讨分析.
- 孙亚宾付军许军王玉东周卫张伟崔杰李高庆刘志弘
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管辐照效应
- 硅片激光退火中多梯度温度场的装置和方法
- 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种半导体晶圆片内形成多梯度温度场的激光退火装置和方法。该装置退火激光光源，退火激光光束处理系统，辅助性加热的光源和带辅助性加热的可移动载片台。加工方法是将待退火的圆片放置于承片...
- 严利人周卫刘朋窦维治刘志弘
- 一种用于激光加工的旋转窗片装置
- 本发明公开了一种属于半导体加工技术领域的一种用于激光加工的旋转窗片装置。隔离罩的窗片固定在隔离罩支撑件的一边，隔离罩支撑件固定在隔离罩支撑件环形壁顶端，隔离罩支撑件环形壁由轴承部件支撑在加热器的隔热材料层外圆周壁上；晶圆...
- 严利人周卫刘朋窦维治
- 文献传递
- 用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置
- 本发明公开了属于半导体制造设备范围的涉及半导体超浅结制造中的一种用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置。该加热加热片台扫描装置采用A加热片台、B加热片台和C加热片台连接成品字型加热片台，旋转托盘放置在该品字型加热片台...
- 周卫严利人刘朋窦维治
- 文献传递
