刘爱华
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多晶发射极微波SiGe/Si HBT
- 本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5'圆片0.8umCMOS工艺线上,研制...
- 张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信
- 关键词：SIGEHBTUHV/CVD多晶发射极
- 文献传递
- 一种低噪声SiGe微波单片放大电路被引量：2
- 2006年
- 介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0。
- 鲁亚诗张伟李高庆刘道广李希有鲁勇刘爱华张翔
- 关键词：SIGE微波单片集成电路硅化物
- 统计技术在集成电路生产中应用
- 本文扼要介绍统计过程控制在集成电路生产中应用,对理论的经验和控制图做了比较,详细介绍了层别法和散布图相结合研究改善IC生产工艺,减少产品某些特性的离散率应用工作.
- 林发永刘志弘刘爱华张伟郭英姿仲涛付玉霞鲁勇夏苏
- 关键词：集成电路生产工艺统计技术控制图
- 文献传递
- SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响
- 2006年
- 欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。
- 王玉东徐阳张伟李希有刘爱华
- 关键词：SIGEHBT
- TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2
- 2006年
- 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。
- 张伟王玉东熊小义许军单一林李希有刘爱华钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波低噪声
- 二氧化硅刻蚀实验模型参数优化提取
- 本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系.借助于在较宽的工艺条件范围内建立的经验公式实现了对被刻蚀二氧化硅厚度的精确...
- 殴阳毅刘志弘刘荣华乔忠林仲涛付玉霞刘爱华林发永
- 关键词：二氧化硅刻蚀工艺参数
- 文献传递
