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邓建国

作品数:36 被引量:26H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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地区

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58 条 记 录,以下是 1-10
刘英坤
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:硅 S波段 等离子体波 高功率 微波脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡顺欣
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:硅 亚微米 P波段 屏蔽 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩东
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:薄膜体声波谐振器 氮化铝薄膜 BAW滤波器 接地电路 直接接地
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段雪
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:功率器件 功率芯片 功率 硅 功率VDMOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘茹
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:硅 亚微米 微波脉冲 S波段 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏延芬
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOSFET TRENCH 高密度等离子体 微波 等离子体损伤
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张鸿亮
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:S波段 硅 微波脉冲功率晶体管 内匹配 功率模块
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郎秀兰
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:脉冲功率 P波段 场效应晶体管 LDMOS LDMOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏丽娟
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:阳极氧化铝 RIE 硅 SI 感应耦合等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董四华
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:功率VDMOSFET 功率放大器 微波功率 S波段 功率模块
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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