韩东
- 作品数：10 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多层难熔金属的刻蚀工艺技术研究被引量：3
- 2005年
- 分析了用反应离子刻蚀(RIE)系统刻蚀多层难熔金属的可行性。研究了用下电极表层为阳极氧化铝的RIE完整刻蚀Au/Pt/TiW/Ti四层金属时氧化铝在Ar/SF6和Ar/CF4等离子体中对聚合作用的影响。通过实验发现,下电极表面的氧化铝经氩离子溅射会参与化学反应并加剧SF6等离子体中的聚合作用,形成大量聚合物。而在CF4等离子体中,下电极氧化铝的影响较小,聚合作用较弱,有利于多层难熔金属的刻蚀。提出了用Ar/CF4/CF4+O2完整刻蚀Au/Pt/TiW/Ti四层金属的三步刻蚀工艺技术。应用三步刻蚀工艺技术刻蚀具有微细图形、多层难熔金属的器件芯片,获得了良好的刻蚀效果。
- 段雪邓建国刘英坤王书明苏丽娟韩东林率兵
- 关键词：RIE阳极氧化铝
- 一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本发明包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上...
- 李丽韩东邓建国李宏军
- 文献传递
- 一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器
- 本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本实用新型包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在...
- 李丽韩东邓建国李宏军
- 文献传递
- 大圆片上精细图形多层难熔金属刻蚀技术研究
- 本文分析了用反应离子刻蚀系统(RIE)刻蚀多层难熔金属的可行性,研究了用下电极表面材料为阳极氧化铝的RIE连续刻蚀Au、Pt、W、Ti四层难熔金属的刻蚀技术.通过实验证明了阳极氧化铝经氩离子轰击后,在用SF6和CF4等离...
- 段雪邓建国刘英坤王书明苏丽娟韩东林率兵
- 关键词：RIE阳极氧化铝
- 文献传递
- FBAR用高质量AlN薄膜制备
- 2012年
- 采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向。实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长。该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦合系数为5%的FBAR样品。
- 韩东霍彩红邓建国
- 关键词：氮化铝薄膜磁控反应溅射薄膜体声波谐振器
- 微波电路型号命名方法
- 本标准规定了微波电路的型号命名方法。本标准适用于微波组件、微波混合集成电路、微波半导体集成电路/芯片以及微波无源电路等的型号命名，100GHz以上太赫兹微波电路的型号命名方法可参照执行。
- 周俊韩东吴维丽孟娟罗炜
- 关键词：煤矿阻燃输送带阻燃输送带
- RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响被引量：3
- 2015年
- 采用射频（RF）反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si（100）和Si（111）衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜（AFM）和X射线衍射仪（XRD）研究了RF偏置功率对Si（111）和Si（100）衬底上沉积的AlN薄膜微观结构和表面粗糙度的影响。结果表明,在RF偏置功率为5~15 W时,两种衬底均可生长（002）择优取向AlN薄膜。RF偏置功率为20 W时,AlN薄膜（002）择优取向变弱,薄膜质量变差。当RF偏置功率为10 W时,Si（111）和Si（100）两种衬底沉积的AlN薄膜的半高宽（FWHM）值和表面均方根粗糙度均最小,其表面均方根粗糙度的最小值分别为2.427和2.836 nm。
- 李明月霍彩红韩东
- 关键词：氮化铝薄膜反应磁控溅射表面形貌
- 一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本发明包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上...
- 李丽韩东邓建国李宏军
- 1.8GHz AlN薄膜体声波谐振器的研制被引量：5
- 2012年
- 提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246。该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm×0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等。
- 王胜福许悦郑升灵韩东
- 关键词：薄膜体声波谐振器振荡器Q值
- Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究被引量：4
- 2012年
- 介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品。实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段。测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础。
- 韩东胡顺欣冯彬王胜福邓建国许悦
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝薄膜牺牲层技术谐振器
