刘英坤
- 作品数：56 被引量：120H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：邯郸市科学技术研究与发展计划项目国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术经济管理更多>>
- 大圆片上精细图形多层难熔金属刻蚀技术研究
- 本文分析了用反应离子刻蚀系统(RIE)刻蚀多层难熔金属的可行性,研究了用下电极表面材料为阳极氧化铝的RIE连续刻蚀Au、Pt、W、Ti四层难熔金属的刻蚀技术.通过实验证明了阳极氧化铝经氩离子轰击后,在用SF6和CF4等离...
- 段雪邓建国刘英坤王书明苏丽娟韩东林率兵
- 关键词：RIE阳极氧化铝
- 文献传递
- 硅微波脉冲功率晶体管中的可靠性设计技术
- 本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、钝化技术、内匹配技术等几种可靠性设计技术及原理。
- 张鸿亮刘英坤徐守利寇彦雨
- 关键词：低热阻内匹配
- 文献传递
- S波段160W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配晶体管优化设计
- 文献传递
- 重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究
- 开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究,从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应,提出了利用改...
- 段雪董四华刘英坤田秀伟邓建国孙艳玲冯彬
- 关键词：VDMOSFET电离辐射阈值电压
- 文献传递
- 双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术被引量：4
- 2008年
- 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。
- 邓建国刘英坤段雪苏丽娟
- 关键词：感应耦合等离子体硅各向异性刻蚀
- SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展
- 2023年
- 集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料和部分工艺加工技术而发展有限。综述了国内外SiC晶圆材料和SiC-LDMOS器件结构的发展现状,着重从衬底材料、晶体取向和器件结构优化方面阐述了SiC-LDMOS的研究进展,指出了SiC-LDMOS全面发展的瓶颈所在,展望了未来SiC-LDMOS的发展方向。
- 杨帅强刘英坤
- 关键词：晶面击穿电压比导通电阻
- SiGe异质结晶体管技术的发展被引量：6
- 2011年
- 以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点。在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用。以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术-SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品。最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍。在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术。
- 辛启明刘英坤贾素梅
- 关键词：SIGE技术SIGEHBTSIGEBICMOSSIGEFET
- 50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：6
- 2014年
- 介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频（VHF），大功率LDMOSFET器件。器件在工作频率50-75MHz、工作电压36V、工作脉宽10ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550W、功率增益大于20dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5：1，表现出了良好的微波性能。器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选，性能稳定，具备工程化实用能力。
- 邓建国张晓帆刘英坤胡顺欣孙艳玲郎秀兰
- 关键词：LDMOSFET长脉冲
- SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究被引量：1
- 2011年
- 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。
- 贾素梅杨瑞霞刘英坤邓建国辛启明
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管干法刻蚀
- 新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术
- 简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉...
- 刘忠山杨勇崔占东刘英坤
- 关键词：等离子体波脉冲源
- 文献传递
