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主题

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机构

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作者

  • 10篇潘茹
  • 7篇刘英坤
  • 6篇邓建国
  • 6篇黄雒光
  • 4篇张鸿亮
  • 4篇胡顺欣
  • 3篇李明月
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  • 2篇郎秀兰
  • 2篇段雪
  • 2篇刘忠山
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  • 2篇张晓帆
  • 2篇许洋
  • 1篇崔现锋
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  • 1篇马红梅
  • 1篇赵丽华

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇2010年全...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2004
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
1.2~1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制被引量:2
2011年
介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 GHz频带内,脉冲宽度150μs,占空比10%,工作电压40 V条件下,全频带内输出功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集电极效率大于55%,并具有良好的可靠性。
徐守利刘英坤黄雒光胡顺欣邓建国潘茹
关键词:L波段微波脉冲功率晶体管亚微米
P波段350 W LDMOS功率管研制
由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
文献传递
S波段微波脉冲功率放大模块研制
介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×...
张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
关键词:S波段
文献传递
替代氢气炉进行芯片烧结的方法
本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法,涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤:1)对硅片的背面进行金属化处理;2)当加热平台处于恒温时,将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热;3)将进行背面金...
潘茹黄雒光潘仙玲程春红许洋
2.6~2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管被引量:3
2004年
研究并制造了2.6~2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
黄雒光赵丽华刘英坤张鸿亮潘茹
关键词:微波脉冲功率晶体管内匹配
S波段微波脉冲功率放大模块研制
介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mn×...
张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
关键词:S波段微波性能
文献传递
替代氢气炉进行芯片烧结的方法
本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法,涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤:1)对硅片的背面进行金属化处理;2)当加热平台处于恒温时,将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热;3)将进行背面金...
潘茹黄雒光潘仙玲程春红许洋
文献传递
X射线照相发现的管壳缺陷分析
2011年
现在对半导体器件的可靠性要求越来越高,因此对器件的质量检测提出了严格的要求,为了能准确检测器件质量是否合格,使用X射线检测技术对器件进行无损检测。X射线对缺陷损伤做快速精确探测分析具有方便、直观等优点。对一例不常见的X射线照相检查发现的晶体管空洞缺陷进行了分析、试验,确定空洞是由管壳存在的问题引起的,提出了解决空洞问题的措施。说明了器件在筛选时进行X射线照相检查的必要性,可以将有缺陷的器件早期剔除,以保证器件的可靠性。
程春红潘茹
关键词:可靠性无损检测X射线
P波段350W LDMOS功率管研制
由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
郎秀兰张晓帆段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光
关键词:微波功率管寄生电容
文献传递
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
2008年
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
邓建国刘英坤张鸿亮潘茹马红梅李明月胡顺欣崔现锋
关键词:微波脉冲功率晶体管
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