张鸿亮
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- S波段微波脉冲功率放大模块研制
- 介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mn×...
- 张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
- 关键词：S波段微波性能
- 文献传递
- S波段微波脉冲功率放大模块研制
- 介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×...
- 张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
- 关键词：S波段
- 文献传递
- 硅微波脉冲功率晶体管中的可靠性设计技术
- 本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、钝化技术、内匹配技术等几种可靠性设计技术及原理。
- 张鸿亮刘英坤徐守利寇彦雨
- 关键词：低热阻内匹配
- 文献传递
- S波段160W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配晶体管优化设计
- 文献传递
- 2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管被引量：3
- 2004年
- 研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
- 黄雒光赵丽华刘英坤张鸿亮潘茹
- 关键词：硅微波脉冲功率晶体管内匹配
- S波段160 W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配
- 文献传递
- 高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
- 2008年
- 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
- 邓建国刘英坤张鸿亮潘茹马红梅李明月胡顺欣崔现锋
- 关键词：硅微波脉冲功率晶体管
- 雪崩三极管的雪崩击穿导通特性研究
- 2022年
- 雪崩三极管是较为理想的高压窄脉冲信号源半导体元器件,研究其雪崩击穿导通特性将有助于设计与优化基于雪崩三极管的脉冲产生电路。本文通过搭建雪崩三极管击穿工作电路,测试雪崩三极管在基极大注入触发的二次击穿导通模式,以及集电极—发射极和集电极—基极高压引起的雪崩击穿导通模式下的器件导通特性,并提取其开关导通参数,研究了开关导通特性,分析了雪崩三极管高压窄脉冲信号产生电路的性能,改进完善了电路设计。
- 徐守利张鸿亮郎秀兰杨光晖倪涛段雪刘京亮许春良
- 关键词：雪崩三极管雪崩击穿
- 双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管
- 本发明提供一种双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管。该制备方法包括：在获取的衬底的上表面制备第一氧化层和保护层，并通过刻蚀保护层后得到的预设窗口在衬底中的对应位置制备分压环，在对制备分压环后的衬底进行高温退火的同时在预设...
- 李飞李亮张鸿亮王敬轩宋红伟余伟康
