邓建国
- 作品数：36 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：邯郸市科学技术研究与发展计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- P波段350 W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
- 文献传递
- S波段微波脉冲功率放大模块研制
- 介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×...
- 张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨
- 关键词：S波段
- 文献传递
- 一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器
- 本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本实用新型包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在...
- 李丽韩东邓建国李宏军
- 文献传递
- 大圆片上精细图形多层难熔金属刻蚀技术研究
- 本文分析了用反应离子刻蚀系统(RIE)刻蚀多层难熔金属的可行性,研究了用下电极表面材料为阳极氧化铝的RIE连续刻蚀Au、Pt、W、Ti四层难熔金属的刻蚀技术.通过实验证明了阳极氧化铝经氩离子轰击后,在用SF6和CF4等离...
- 段雪邓建国刘英坤王书明苏丽娟韩东林率兵
- 关键词：RIE阳极氧化铝
- 文献传递
- S波段160W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配晶体管优化设计
- 文献传递
- FBAR用高质量AlN薄膜制备
- 2012年
- 采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向。实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长。该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦合系数为5%的FBAR样品。
- 韩东霍彩红邓建国
- 关键词：氮化铝薄膜磁控反应溅射薄膜体声波谐振器
- P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制被引量：2
- 2015年
- 设计并制作了一种50V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50V、工作脉宽100μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,抗驻波失配比大于5∶1,表现出了良好的性能。
- 胡顺欣何先良王强栋梁东升李飞邓建国郎秀兰李亮
- 关键词：LDMOS硅P波段窄脉冲
- 50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：7
- 2014年
- 介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频（VHF），大功率LDMOSFET器件。器件在工作频率50-75MHz、工作电压36V、工作脉宽10ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550W、功率增益大于20dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5：1，表现出了良好的微波性能。器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选，性能稳定，具备工程化实用能力。
- 邓建国张晓帆刘英坤胡顺欣孙艳玲郎秀兰
- 关键词：LDMOSFET长脉冲
- SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究被引量：1
- 2011年
- 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。
- 贾素梅杨瑞霞刘英坤邓建国辛启明
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管干法刻蚀
- 多层难熔金属的刻蚀工艺技术研究被引量：3
- 2005年
- 分析了用反应离子刻蚀(RIE)系统刻蚀多层难熔金属的可行性。研究了用下电极表层为阳极氧化铝的RIE完整刻蚀Au/Pt/TiW/Ti四层金属时氧化铝在Ar/SF6和Ar/CF4等离子体中对聚合作用的影响。通过实验发现,下电极表面的氧化铝经氩离子溅射会参与化学反应并加剧SF6等离子体中的聚合作用,形成大量聚合物。而在CF4等离子体中,下电极氧化铝的影响较小,聚合作用较弱,有利于多层难熔金属的刻蚀。提出了用Ar/CF4/CF4+O2完整刻蚀Au/Pt/TiW/Ti四层金属的三步刻蚀工艺技术。应用三步刻蚀工艺技术刻蚀具有微细图形、多层难熔金属的器件芯片,获得了良好的刻蚀效果。
- 段雪邓建国刘英坤王书明苏丽娟韩东林率兵
- 关键词：RIE阳极氧化铝
