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梁春广
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电子部
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杨拥军
电子部
王民娟
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赵永军
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王庆海
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杨拥军
供职机构:电子部
研究主题:PECVD法 PECVD 氮化硅 薄膜应力 应力
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王于辉
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:可靠性 双极晶体管 超高频晶体管 超高频 HBT
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陈培毅
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE 锗化硅 HBT 量子点 双极晶体管
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李立杰
供职机构:电子部
研究主题:干法刻蚀 硅尖 隧道 湿法刻蚀 高灵敏度
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供职机构
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赵永军
供职机构:电子部
研究主题:PECVD法 PECVD 氮化硅 薄膜应力 应力
发表作品
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供职机构
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高建军
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:HEMT器件 HEMT 半导体器件 非线性电路 非线性
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高颖
供职机构:台湾交通大学
研究主题:HBT SIGE异质结双极晶体管 发射区 双极晶体管 锗化硅
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钱佩信
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
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钱伟
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE_HBT HBT 锗化硅 质子交换膜 晶体管
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张进书
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE异质结双极晶体管 双极晶体管 异质结 超高真空 锗化硅
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