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梁春广

作品数:4 被引量:28H指数:1
供职机构:电子部更多>>
相关领域:电子电信机械工程更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 4个北京市
  • 2个河北省
  • 1个四川省
13 条 记 录,以下是 1-10
杨拥军
供职机构:电子部
研究主题:PECVD法 PECVD 氮化硅 薄膜应力 应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王于辉
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:可靠性 双极晶体管 超高频晶体管 超高频 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈培毅
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE 锗化硅 HBT 量子点 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李立杰
供职机构:电子部
研究主题:干法刻蚀 硅尖 隧道 湿法刻蚀 高灵敏度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永军
供职机构:电子部
研究主题:PECVD法 PECVD 氮化硅 薄膜应力 应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建军
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:HEMT器件 HEMT 半导体器件 非线性电路 非线性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高颖
供职机构:台湾交通大学
研究主题:HBT SIGE异质结双极晶体管 发射区 双极晶体管 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱伟
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE_HBT HBT 锗化硅 质子交换膜 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进书
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE异质结双极晶体管 双极晶体管 异质结 超高真空 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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