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赵永军

作品数：2 被引量：28H指数：1
供职机构：电子部更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀工艺
  • 1篇应力
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇薄膜应力
  • 1篇PECVD
  • 1篇PECVD法
  • 1篇MESFET
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇电子部

作者

  • 2篇赵永军
  • 2篇王民娟
  • 1篇杨拥军
  • 1篇梁春广

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
利用扫描电子显微镜改进GaAs　MESFET背面通孔电镀工艺
1996年
利用扫描电子显微镜对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ背面通孔形貌及电镀状况进行了分析，并对电镀工艺进行了改进。给出了大量改善前后的电镜照片图形。
赵永军王民娟李江杜平国
关键词：扫描电子显微镜电镀
PECVD SiN_x薄膜应力的研究被引量：28
1999年
等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx
赵永军王民娟杨拥军梁春广
关键词：氮化硅PECVD法薄膜应力
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共1页<1>
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