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梁春广

作品数：4 被引量：28H指数：1
供职机构：电子部更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇应力
  • 1篇锗化硅
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇模型分析
  • 1篇晶体管
  • 1篇加速度
  • 1篇加速度计
  • 1篇发射区
  • 1篇非线性
  • 1篇高灵敏
  • 1篇高灵敏度

机构

  • 3篇电子部
  • 1篇清华大学
  • 1篇台湾交通大学
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇梁春广
  • 2篇杨拥军
  • 1篇张进书
  • 1篇赵永军
  • 1篇陈培毅
  • 1篇李立杰
  • 1篇钱佩信
  • 1篇王于辉
  • 1篇罗台秦
  • 1篇王民娟
  • 1篇高建军
  • 1篇钱伟
  • 1篇王庆海
  • 1篇高颖

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第四届全国微...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1994
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高灵敏度电子隧道加速度计研究
基于隧道效应的高灵敏度加速度计,在MEMS领域中具有其他加速度计不可比拟的特点和优点;本文讲述了电子隧道传感器的工作原理.目前我们作出的隧道传感器的分辨率可达10<'-3>□/(Hz)/2.介绍了隧道效应的加速度计的设计...
李立杰杨拥军梁春广
关键词：加速度计微电子机械系统
文献传递
准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
1998年
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．
张进书钱伟陈培毅钱佩信罗台秦王于辉孙同乐王庆海高颖梁春广冯明宪林其渊
关键词：异质结双极晶体管锗化硅HBT
PECVD SiN_x薄膜应力的研究被引量：28
1999年
等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx
赵永军王民娟杨拥军梁春广
关键词：氮化硅PECVD法薄膜应力
HEMT器件的非线性模型分析
1994年
本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。
高建军梁春广
关键词：半导体器件HEMT
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