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郑联喜

作品数：14 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡雄伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：阵列波导光栅 波导 硅基二氧化硅 AWG SIO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 MOCVD 砷化镓 氮化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：华为技术有限公司
研究主题：FAST 反射面 射电望远镜 促动器 大射电望远镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙小玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD 立方相 砷化镓 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖智博
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 大功率 MOCVD生长 MOCVD 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 多量子阱 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 锗 硅 半导体材料 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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