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邢东

作品数：8 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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共 22 条 记 录，以下是 1-10
冯志红
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 HFET 迁移率 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊龙
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 肖特基二极管 肖特基 小信号等效电路模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁士雄
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 超材料 共振隧穿二极管 HEMT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵向阳
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 肖特基二极管 肖特基 小信号等效电路模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立森
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 MOCVD生长 高电流密度 峰谷电流比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘立浩
供职机构：河北工业大学信息工程学院
研究主题：击穿电压 NH GAAS_MMIC SEM分析 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAN 异质结 场效应晶体管 MOCVD HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李效白
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题：HFET 集成电路 GAN 电流崩塌 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨瑞霞
供职机构：河北工业大学
研究主题：砷化镓 GAAS 太阳电池 磷化铟 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨非
供职机构：东南大学
研究主题：倍频 毫米波 芯片 太赫兹 波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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