您的位置： 专家智库 > >

任春江

作品数：48 被引量：82H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

领域

  • 62个电子电信
  • 21个电气工程
  • 20个理学
  • 17个一般工业技术
  • 14个自动化与计算...
  • 11个航空宇航科学...
  • 10个化学工程
  • 8个经济管理
  • 7个金属学及工艺
  • 7个机械工程
  • 6个文化科学
  • 5个医药卫生
  • 4个天文地球
  • 3个核科学技术
  • 2个交通运输工程
  • 2个环境科学与工...
  • 2个历史地理
  • 1个冶金工程
  • 1个建筑科学
  • 1个水利工程

主题

  • 51个晶体管
  • 44个氮化镓
  • 44个电路
  • 44个迁移率
  • 42个GAN
  • 41个电子迁移率
  • 41个集成电路
  • 41个高电子迁移率
  • 41个高电子迁移率...
  • 39个单片
  • 35个单片集成
  • 33个半导体
  • 32个放大器
  • 30个单片集成电路
  • 29个砷化镓
  • 29个宽带
  • 26个功率放大
  • 26个功率管
  • 25个单片微波
  • 24个功率放大器

机构

  • 56个南京电子器件...
  • 10个中国电子科技...
  • 9个中国科学院
  • 9个微波毫米波单...
  • 8个东南大学
  • 7个南京大学
  • 3个南京理工大学
  • 3个中华人民共和...
  • 2个电子科技大学
  • 2个西安交通大学
  • 1个长春光学精密...
  • 1个北京大学
  • 1个北京工业大学
  • 1个教育部
  • 1个河北科技大学
  • 1个电子工业部
  • 1个中国电子科技...
  • 1个电子部
  • 1个江苏省光电信...
  • 1个中国科学院兰...

资助

  • 29个国家自然科学...
  • 17个国家重点基础...
  • 16个国家高技术研...
  • 12个江苏省自然科...
  • 12个微波毫米波单...
  • 6个江苏省科技支...
  • 6个国家教育部博...
  • 6个国家重点实验...
  • 5个教育部科学技...
  • 4个国防科技重点...
  • 4个国家杰出青年...
  • 4个国家部委预研...
  • 3个国防科技技术...
  • 3个江苏省高技术...
  • 3个国家部委资助...
  • 3个江苏省高校优...
  • 3个教育部“新世...
  • 3个中央高校基本...
  • 2个国家社会科学...
  • 2个四川省自然科...

传媒

  • 61个固体电子学研...
  • 26个半导体技术
  • 23个电子与封装
  • 22个Journa...
  • 21个第十五届全国...
  • 16个第六届全国毫...
  • 15个微波学报
  • 14个全国第十二届...
  • 14个2012全国...
  • 13个电子学报
  • 13个第十五届全国...
  • 12个中国电子科学...
  • 12个第十四届全国...
  • 11个微纳电子技术
  • 11个第三届中国国...
  • 11个第十二届全国...
  • 10个光电子技术
  • 10个电子元件与材...
  • 9个物理学报
  • 8个红外与毫米波...

地区

  • 59个江苏省
  • 2个四川省
  • 1个北京市
共 62 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟世昌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 氮化镓 S波段 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 功率MMIC 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王泉慧
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 HFET 场板 氮化镓 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海琪
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 步进 可靠性 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0