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张斌

作品数：53 被引量：92H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 23篇电路
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  • 21篇单片
  • 15篇单片集成
  • 15篇放大器
  • 13篇单片集成电路
  • 11篇微波单片
  • 11篇微波单片集成
  • 11篇微波单片集成...
  • 11篇功率放大
  • 11篇功率放大器
  • 11篇MMIC
  • 10篇功率MMIC
  • 9篇电子迁移率
  • 9篇迁移率
  • 9篇晶体管
  • 9篇高电子迁移率
  • 9篇高电子迁移率...
  • 8篇氮化镓
  • 6篇微波集成

机构

  • 52篇南京电子器件...
  • 8篇东南大学
  • 2篇北京理工大学

作者

  • 53篇张斌
  • 13篇陈堂胜
  • 12篇任春江
  • 10篇陶洪琪
  • 8篇邵凯
  • 7篇杨乃彬
  • 7篇余旭明
  • 7篇陈辰
  • 6篇李拂晓
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  • 5篇焦刚
  • 4篇王维波
  • 3篇李忠辉
  • 3篇钟世昌
  • 3篇王泉慧
  • 3篇铁宏安
  • 3篇洪伟
  • 3篇成海峰
  • 3篇王雯
  • 3篇陈忆元

传媒

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  • 2篇2003中国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇2003全国...
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年份

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  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
S波段35WGaN功率MMIC被引量：4
2011年
报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。
余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰
关键词：宽带S波段微波单片集成电路
6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC被引量：5
2011年
报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。
余旭明张斌陈堂胜任春江
关键词：宽带GHZ微波单片集成电路
7～18GHz单片宽带大功率放大器被引量：6
2003年
张斌李拂晓蒋幼泉
关键词：功率放大器宽带大功率电子系统微波通信
2．1GHz CMOS低噪声放大器
2008年
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽
关键词：射频低噪声放大器噪声系数
Ku波段宽带大功率多芯片合成设计被引量：1
2011年
设计针对多个Ku波段宽带MMIC功率放大芯片进行大功率合成。对波导多路功率合成结构进行了分析,基于单个Ku波段6W功放单片,进行了16路的功率合成,研制出了工作在12～17GHz,带宽达到6GHz的固态功率放大器。通过测试发现该固态功率放大器的输出功率≥70W,功率增益≥15dB,工作电压48V,效率≥16%,并具有较好的抗失配能力,整个固态功放的尺寸≤280mm×170mm×55mm。4个这样的固态功放合成在12～17GHz内得到大于200W的功率输出。
王晔成海峰张斌
关键词：固态功率放大器大功率
GaN HEMT的温度特性及其应用被引量：3
2011年
对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。
任春江陈堂胜余旭明张斌
关键词：高电子迁移率晶体管场板
5．2～5．8GHz有源巴仑MMIC被引量：2
2006年
采用0．5μm GaAs pHEMT工艺研制的5．2～5．8GHz有源单片式巴仑芯片，最终测试表明：工作带宽之内，芯片输入输出驻波均小于1．5，两输出端幅度之差最大为0．8dB（@5．8GHz），最小为0．08dB（@5．6GHz）,相位之差为174．3°（@5．2GHz）到180．6°（@5．8GHz），与理想差分比较，带内误差小于6°，双端输出时具有明显的功率增益，约在1．7～4．95dB之间，P1dH输出功率为10．5dBm左右，二次谐波失真比HDz典型值为-30dBc。
王维波张斌
关键词：微波单片集成电路
改进的Triquint-Materka PHEMT模型
2006年
针对PHEM T器件的特点,在A nge lov模型和T riqu in t-M aterka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现。文章以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEM T器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。
李辉洪伟张斌施江伟铁宏安
关键词：赝配高电子迁移率晶体管S参数
Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器被引量：1
2009年
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。
王维波王志功张斌康耀辉吴礼群杨乃彬
关键词：砷化镓相位噪声
0.15μm GaN HEMT及其应用被引量：4
2013年
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌
关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板
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