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陶洪琪

作品数：42 被引量：80H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇中文期刊文章

领域

  • 42篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 26篇放大器
  • 20篇功率放大
  • 20篇功率放大器
  • 15篇单片
  • 14篇电路
  • 14篇GAN
  • 13篇集成电路
  • 11篇MMIC
  • 8篇单片微波
  • 8篇单片微波集成...
  • 8篇氮化镓
  • 8篇微波集成
  • 8篇微波集成电路
  • 8篇宽带
  • 6篇单片集成
  • 6篇GHZ
  • 6篇超宽带
  • 5篇单片集成电路
  • 5篇芯片
  • 5篇KU波段

机构

  • 42篇南京电子器件...
  • 2篇东南大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 42篇陶洪琪
  • 13篇王维波
  • 10篇张斌
  • 8篇余旭明
  • 5篇徐波
  • 3篇汪珍胜
  • 2篇郑惟彬
  • 2篇潘晓枫
  • 2篇钱峰
  • 2篇张君直
  • 2篇吴少兵
  • 2篇叶川
  • 2篇王文斌
  • 1篇王晔
  • 1篇叶育红
  • 1篇李忠辉
  • 1篇殷晓星
  • 1篇程伟
  • 1篇任春江
  • 1篇孔月婵

传媒

  • 34篇固体电子学研...
  • 3篇电子技术应用
  • 2篇通信电源技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇空间电子技术

年份

  • 5篇2024
  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于GaAs pHEMT工艺的18~40 GHz六位高精度数控移相器
2024年
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了一款工作频率为18~40 GHz的高精度六位数控移相器芯片。其中5.625°、11.25°和22.5°移相位采用了改进型的串并联电容移相结构,该结构可通过增加串联电感改善移相精度;45°和90°移相位采用了磁耦合全通网络型移相结构;180°移相位使用了基于串并联谐振结构的改进型移相器电路,拓展了移相器带宽,提高了移相精度。移相器芯片的实际加工面积为2.8 mm×1.4 mm。芯片的测试结果表明,在18~40 GHz频率范围内,移相精度均方根误差小于2.3°,移相寄生调幅均方根误差小于0.7 dB,全态损耗小于13.5 dB,全态输入、输出驻波分别小于1.7、1.9。
张天羽韩群飞陶洪琪
关键词：移相器全通网络砷化镓
X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC被引量：10
2016年
研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通过这两种技术途径有效提高芯片的功率附加效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配方式,扩展工作带宽以及提高稳定性。芯片在8~12GHz频带范围内漏压28V,脉宽100μS,占空比10%工作条件下输出功率达到47.5~48.7dBm,功率增益大于20dB,功率附加效率40%~45%。芯片面积3.5mm×3.8mm,单位面积功率密度为5.57 W/mm2,连续波条件下热阻为1.7K/W。
陶洪琪张斌余旭明
关键词：X波段
Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC被引量：2
2016年
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对Lange耦合器的端接阻抗进行优化,使得设计的Lange耦合器物理尺寸符合工艺规则要求。放大器采用三级放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。芯片在43~46GHz频带范围内、6V偏置、连续波工作条件下,饱和输出功率大于33dBm,效率大于15%,功率增益大于14dB,线性增益为16dB,线性增益平坦度小于±0.8dB,芯片面积3.9mm×4.8mm。
陶洪琪张斌周强
关键词：GAASQ波段平衡式兰格耦合器
晶圆级异构集成3D芯片互连技术研究被引量：1
2023年
南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、有良好塑性变形的金凸点作为互连材料。
田飞飞凌显宝张君直叶育红蔡传涛赵磊陶洪琪
关键词：金凸点异构集成互连技术3D芯片
K波段2.5 W GaN功率MMIC设计
2018年
报道了一款采用0.15μm GaN功率MMIC工艺研制的功率放大器芯片。芯片工作在5G毫米波候选频段24.75~27.50GHz,采用三级放大结构。结合小信号参数和带有预匹配的Load-pull进行设计,末级匹配电路使用宽带匹配拓扑,在满足输出功率的条件下,尽可能降低损耗并兼顾效率匹配,以提升芯片附加效率;使用RCL稳定网络提高电路的稳定性,优化级间网络的版图布局提高功率分配网络和合成网络的幅相一致性;在输入级使用有耗匹配以降低芯片输入驻波。芯片在漏级电压24V连续波工作条件下,在24.5~27.5GHz范围内饱和输出功率大于34dBm(2.5 W),附加效率25%~30%。
郭润楠张斌陶洪琪
关键词：K波段微波单片集成电路
星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片被引量：1
2023年
基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一种带谐波匹配的高效率输出匹配电路,并通过引入有耗匹配,研制出了低压稳定的级间匹配电路。芯片面积为2.8 mm×2.6 mm,管芯漏极动态电压仿真峰值低于30 V,实测结温小于80℃,满足宇航Ⅰ级降额要求。功率放大器在17.5~18.0 GHz、漏压12 V(连续波)条件下,典型饱和输出功率2.5 W,附加效率38%,功率增益大于20 dB,线性增益大于27 dB,满足星载高效率要求。
肖玮金辉余旭明陶洪琪
关键词：GANKU波段功率放大器高可靠性
一体化匹配网络的Q波段Doherty功率放大器MMIC设计
2023年
提出了一种毫米波Doherty放大器一体化匹配网络的设计方法。该匹配网络将功率合成、阻抗变换和相位调节功能一体化,结合兰格耦合器,去除了传统Doherty功放结构中输出和输入四分之一波长线。采用0.15μm GaN工艺研制了一款Doherty放大器MMIC。连续波测试条件下,此放大器在38~42 GHz频段内,饱和功率达到40 dBm,饱和PAE大于24%,6 dB输出功率回退PAE达到16%。在中心频率40 GHz、20 MHz双音间隔测试条件下,输出功率回退3 dB时,放大器的三阶交调失真IMD3小于-21 dBc。
彭晨睿郭润楠陶洪琪余旭明
关键词：DOHERTY功率放大器单片微波集成电路氮化镓
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
2024年
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。
郝翔王维波闫俊达袁巍韩方彬陶洪琪
关键词：低噪声放大器共源共栅单片微波集成电路砷化镓
面向脉冲调制器的S波段高效线性MMIC功率放大器
2024年
针对脉冲调制全数字发射机中高速数字信号难以高效驱动射频功率放大器的问题,提出了一种高效线性MMIC功率放大器设计方法。采用连续F类功率放大器提高数字发射机系统的效率,采用三阶互调抵消改善临近饱和线性度。基于南京电子器件研究所GaAs pHEMT工艺,研制了一款S波段高效率线性功率放大器进行验证。测试结果表明,在3.4~4.0 GHz频段内,当输入功率为-10 dBm时,输出功率为26.2~26.7 dBm,功率附加效率为53.3%~60.7%,功率增益为36.2~36.7 dB。在3.7 GHz频点,输出功率为24.5 dBm,三阶互调失真小于-30 dBc;9 dB峰均比、40 MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下,平均输出功率及对应的功率附加效率分别为20.5 dBm和28%,实现了-30 dBc的邻道功率比及5.5%的误差向量幅度。
段佩壮马明明李鹏程郭润楠庄园余旭明陶洪琪
1～8 GHz GaN 10 W 巴伦型分布式功率放大器
2019年
报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路拓扑结构。该芯片在1~8GHz频率范围内,漏压28 V连续波条件下,线性增益大于25.8dB,功率增益大于23.2dB,典型饱和输出功率为10W,功率附加效率大于28.8%。芯片面积为3.5mm×3.3mm。
韩程浩陶洪琪
关键词：超宽带
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