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余旭明

作品数：18 被引量：35H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 18篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 9篇功率放大
  • 9篇功率放大器
  • 9篇放大器
  • 8篇氮化镓
  • 7篇GAN
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇单片
  • 5篇KU波段
  • 5篇MMIC
  • 4篇单片集成
  • 4篇铝镓氮
  • 4篇宽带
  • 4篇功率MMIC
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇微波单片
  • 3篇微波单片集成
  • 3篇微波单片集成...
  • 3篇微波集成
  • 3篇微波集成电路

机构

  • 15篇南京电子器件...
  • 2篇东南大学
  • 2篇南京理工大学

作者

  • 18篇余旭明
  • 8篇陶洪琪
  • 7篇张斌
  • 5篇陈堂胜
  • 4篇任春江
  • 2篇洪伟
  • 2篇徐波
  • 1篇王维波
  • 1篇薛黎
  • 1篇缪依展
  • 1篇周惠忠
  • 1篇李忠辉
  • 1篇楚然
  • 1篇茅铭明
  • 1篇王泉慧
  • 1篇恽小华
  • 1篇廖佳
  • 1篇王雯
  • 1篇申明磊
  • 1篇陈辰

传媒

  • 12篇固体电子学研...
  • 2篇通信电源技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇空间电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微波多芯片组件设计与应用
恽小华孙琳琳楚然廖佳申明磊余旭明薛黎茅铭明缪依展周惠忠
该项目在国内首次完成了微波MCM-CAD技术研究，较好的把微波电路CAD与MCM－CAD紧密结合起来，同时引入到微波毫米波组件乃至系统的一体化设计当中，采用场分析法与微波网络分析法，克服了各种微波传输线及其不均匀区域，多...
关键词：
关键词：微波多芯片组件组件设计
S波段35WGaN功率MMIC被引量：4
2011年
报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。
余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰
关键词：宽带S波段微波单片集成电路
6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC被引量：5
2011年
报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。
余旭明张斌陈堂胜任春江
关键词：宽带GHZ微波单片集成电路
微波T/R组件设计
本文设计了发射功率大于7.5W的x波段T/R组件，重点对组件的实现方案、高功率放大器以及金丝互连结构进行了研究。该T/R组件整体上采用相控阵体制的结构来实现：发射通道主要由移相器、衰减器、高功率放大器等组成;接收通道主要...
余旭明
关键词：T/R组件相控阵微波砷化镓
文献传递
GaN HEMT的温度特性及其应用被引量：3
2011年
对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。
任春江陈堂胜余旭明张斌
关键词：高电子迁移率晶体管场板
基于平面肖特基二极管的220GHz~330GHz分谐波混频器
2024年
为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结构进行了改进,采用“T栅”结构实现了低寄生阳极结,改善了肖特基二极管寄生特性,提升了二极管性能。利用单片集成技术实现了二极管与无源电路的微米级对准,保证了宽带分谐波混频器的实现精度。实测结果显示,分谐波混频器在220GHz~330GHz范围内单边带变频损耗小于12dB,中频工作带宽可达35GHz(变频损耗小于12dB),1dB压缩点在-4dBm附近。文章同时进行了多个分谐波混频器样品测试,测试结果的一致性验证了该技术方案工程化应用的潜力。
纪东峰代鲲鹏王维波李俊锋余旭明
关键词：太赫兹宽带单片集成技术肖特基二极管
Ku波段20W GaN功率MMIC被引量：3
2017年
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。
徐波余旭明叶川陶洪琪
关键词：ALGAN/GANKU波段微波单片集成电路
0.15μm GaN HEMT及其应用被引量：5
2013年
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌
关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板
C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC被引量：1
2020年
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8~6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。
杨常林余旭明陶洪琪徐波
关键词：单片微波集成电路C波段大功率
X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC被引量：10
2016年
研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通过这两种技术途径有效提高芯片的功率附加效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配方式,扩展工作带宽以及提高稳定性。芯片在8~12GHz频带范围内漏压28V,脉宽100μS,占空比10%工作条件下输出功率达到47.5~48.7dBm,功率增益大于20dB,功率附加效率40%~45%。芯片面积3.5mm×3.8mm,单位面积功率密度为5.57 W/mm2,连续波条件下热阻为1.7K/W。
陶洪琪张斌余旭明
关键词：X波段
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