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王志杰

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 8个北京市
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
王圩
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
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陈博
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INGAASP/INP 低阈值 LP-MOCVD MQW 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱洪亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 多量子阱 磷化铟 分布反馈激光器 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张济志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MQW 半导体 INGAASP/INP 掩膜 工艺过程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金才政
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：大功率 MOCVD 激光器 单量子阱激光器 MQW
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 锗 硅 半导体材料 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周帆
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分布反馈激光器 电吸收调制器 单片集成 激光器 模斑转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马朝华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INGAASP/INP 激光器 MQW 低阈值 DFB激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：华为技术有限公司
研究主题：FAST 反射面 射电望远镜 促动器 大射电望远镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：国家光电子工艺中心
研究主题：MQW MOCVD INGAASP/INP 激光器特性 铟镓砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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