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朱国良

作品数:5 被引量:19H指数:2
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金:武器装备预研基金更多>>
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13 条 记 录,以下是 1-10
张鹤鸣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
舒斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴显英
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:晶圆 应变SI 绝缘层 SIGE BICMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王喜媛
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT 高校 科研管理 特征波束
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王伟
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:天线 机电耦合 反射面天线 电性能 阵列天线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李发宁
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:大功率 MPCVD 宽禁带半导体 宽禁带 金刚石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊敏
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SOI 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄大鹏
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:超高真空 场效应晶体管 层结构 侧墙 MIS结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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