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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇低温键合
  • 1篇电流比较器
  • 1篇电流基准
  • 1篇电流模
  • 1篇电路
  • 1篇三维集成电路
  • 1篇转换器
  • 1篇模数转换
  • 1篇模数转换器
  • 1篇金刚石
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇集成电路
  • 1篇键合
  • 1篇功率
  • 1篇刚石
  • 1篇半导体
  • 1篇比较器

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇李发宁
  • 2篇朱国良
  • 2篇张鹤鸣
  • 1篇舒斌
  • 1篇吕懿
  • 1篇胡辉勇
  • 1篇戴显英

传媒

  • 2篇电子科技

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
宽禁带半导体金刚石被引量:13
2004年
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势。该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量。对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析。最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向。
李发宁张鹤鸣戴显英朱国良吕懿
关键词:宽禁带金刚石MPCVD大功率
三维CMOS集成电路技术研究被引量:5
2004年
论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在 SOI(Si on insulator)材料上,接着利用 SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维 CMOS结构。与目前所报道的 Si 基三维集成电路相比,该电路特性明显提高。
朱国良张鹤鸣胡辉勇李发宁舒斌
关键词:SI/SIGECMOS低温键合
8位电流模模数转换器设计研究
本论文的目标是8位电流模模数转换器(Analog-to-Digital Converter,简称ADC)芯片的前端设计和研究.随着计算机技术、信号处理技术和微电子技术的迅速发展,不断涌现出新的先进的电子系统.这些系统可广...
李发宁
关键词:模数转换器电流比较器电流基准
文献传递
共1页<1>
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