戴显英
- 作品数：249 被引量：185H指数：8
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家部委预研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>
- pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性
- 2003年
- 在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。
- 王喜媛张鹤鸣戴显英胡辉勇
- 关键词：HBTGE组分分布
- 一种基于自对准工艺的平面应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种基于自对准工艺的应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，首先在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离和集电极接触区，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，淀积N型Poly-Si，去除掉发射...
- 胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣周春宇戴显英郝跃
- 文献传递
- 三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法
- 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底，...
- 胡辉勇张鹤鸣宣荣喜戴显英宋建军舒斌赵丽霞
- 文献传递
- Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
- 李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
- 关键词：短沟道效应阈值电压
- 基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法
- 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的SiO...
- 苗东铭戴显英郝跃祁林林梁彬焦帅
- 文献传递
- 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT等效电路模型
- 本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.本文将该模型嵌入了PSPICE软件的...
- 区健锋张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜俞智刚王喜媛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管等效电路模型PSPICE
- 文献传递
- SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究被引量：1
- 2003年
- 介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。
- 戴显英胡辉勇张鹤鸣孙建诚
- 关键词：异质结双极晶体管
- 一种高温压电陶瓷异质结材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高温压电陶瓷异质结材料及其制备方法，包括：制备A层为铋层状结构的陶瓷材料；制备B层为钪酸铋‑钛酸铅结构的陶瓷材料；按照AB、ABA、BAB中至少一种叠层方式，将A层和B层以特定比例混合压制成型；采用特定排...
- 赵天龙石柯飞费春龙董广志孙韬王满之孙昕郝张娟刘文全熠戴显英
- 基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
- 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积‑1GPa以上的压应力SiN...
- 戴显英郝跃梁彬蒲凯文苗东铭祁林林焦帅
