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胡爱斌

作品数：25 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

领域

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机构

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传媒

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地区

  • 12个北京市
共 12 条 记 录，以下是 1-10
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱阳军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：淀积 衬底 场板 IGBT器件 IGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
成星
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 测试仪器 寄生电容 结电容 断路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高振鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 测试仪器 寄生电容 结电容 断路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许高博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 沟道 介质层 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董少华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：热阻 IGBT器件 结构函数 层结构 峰值结温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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