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汪玲

作品数:9 被引量:22H指数:3
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柏松
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC 碳化硅 4H-SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构:南京大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC H型 碳化硅 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨霏
供职机构:国网智能电网研究院
研究主题:MOS 可靠性研究 金属氧化物半导体 界面态 栅氧化层
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周德红
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管 MHZ 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘涛
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:4H-SIC HEMT H型 SIC 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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