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王盛凯

作品数：139 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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地区

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共 44 条 记 录，以下是 1-10
刘洪刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 SIC 微波等离子体 衬底 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤益丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 含氧气体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛百清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩乐
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 超浅结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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