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潘岭峰

作品数:16 被引量:20H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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相关领域:电子电信金属学及工艺理学更多>>

领域

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地区

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32 条 记 录,以下是 1-10
王晓峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:激光 激光退火 缓冲层 脉冲激光 相变存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张紫辰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:晶圆 激光加工 激光光束 光斑 二次谐波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伊晓燕
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何志
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李海鸥
供职机构:桂林电子科技大学
研究主题:功率器件 金属 等离激元 石墨烯 滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韦春荣
供职机构:广西师范大学
研究主题:图像配准 医学图像 MATLAB 互信息 SNAKE模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘敏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:太赫兹波 碳化硅 相位偏移 欧姆接触 采样信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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