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樊中朝: 作品数：68 被引量：104H指数：5; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

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GaN场效应晶体管: 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺...; 杨军贾利芳樊中朝何志杨香王晓东杨富华

一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC...; 刘胜北何志刘兴昉刘敏杨香樊中朝王晓峰王晓东赵有梅杨富华孙国胜曾一平

一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...; 贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华

衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法: 本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法，包括：在衬底上沉积硬掩模；在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻；将光刻后的衬底置于斜台上，再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀，以...; 刘庆杨富华樊中朝刘雯王晓东

一种H<Sub>2</Sub>微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四...; 刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平; 文献传递

一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第...; 赵永梅何志季安王晓峰黄亚军潘岭峰樊中朝王晓东杨富华; 文献传递

感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究被引量：7: 2007年; 为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动,从而在近203V偏压下得到陡直的侧壁.在优化气体组分后,成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.; 马小涛郑婉华任刚樊中朝陈良惠; 关键词：光子晶体感应耦合等离子体

高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法: 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小...; 黄亚军樊中朝刘志强伊晓燕季安王军喜

Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator被引量：5: 2004年; A rearrangeable nonblocking thermo-optic 4×4 switching matrix,which consists of five 2×2 multimode interference-based Mach-Zehnder interferometer(MMI-MZI) switch elements,is designed and fabricated.The minimum and maximum excess loss for the matrix are 6.6 and 10.4dB,respectively.The crosstalk in the matrix is measured to be between -12 and -19.8dB.The switching speed of the matrix is less than 30μs.The power consumption for the single switch element is about 330mW.; 王章涛樊中朝夏金松陈少武余金中; 关键词：SILICON-ON-INSULATOR