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王晓峰: 作品数：20 被引量：30H指数：3; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

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紫外激光改性氧化钒薄膜: 2017年; 氧化钒薄膜制备后需要进行退火处理以降低非晶态氧化钒薄膜的方阻大小并改善薄膜结晶特性。传统退火方式时间较长且退火过程会导致器件性能降低。本文主要利用激光精确控制的特点处理氧化钒薄膜,通过平顶光路系统改变激光功率、高斯光斑形貌以及光斑的重叠率对氧化钒薄膜进行退火处理,主要研究了激光能量密度以及光斑重叠率对氧化钒薄膜的方阻,表面粗糙度以及结晶度的影响。实验结果表明激光功率为0.7 W,光斑重叠率为93.33%,光斑能量密度为62.2 m J/cm^2时,退火氧化钒薄膜的方阻值明显降低,薄膜表面光滑且氧化钒结晶度较好。; 李海鸥丁志华丁志华王晓峰潘岭峰; 关键词：激光功率氧化钒薄膜激光退火光束整形

532 nm平顶激光光束用于硅晶圆开槽的研究被引量：1: 2017年; 根据衍射原理,设计并制备了平顶整形元件,将激光能量由高斯分布转变为平顶分布。利用532nm脉冲激光进行了硅晶圆激光划片实验,研究了激光能量、划片速度及聚焦位置对划片效果的影响。结果表明,基于平顶光束的激光划片,可实现宽约为16μm、深约为18μm的划槽,且槽底部平坦,槽壁陡直;与高斯光束相比,平顶光束下热影响区明显减小。; 李海鸥韦春荣王晓峰张紫辰张紫辰; 关键词：激光技术脉冲激光硅片热影响区

侧墙技术在相变存储器中的应用: 2012年; 从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题;接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术,并将其在PCRAM中的应用成果进行了分类;然后从加热电极的制备、相变材料限制结构的制备、新相变材料的制备与表征和器件间互联等4个方面展开叙述;最后展望了该技术在相变存储领域应用发展的趋势。侧墙技术因其具备自对准的特点,制备工艺可控性好,制备精度不依赖于光刻精度,在纳米技术飞速发展的今天,侧墙技术将会在更高精度上发挥其作用。; 付英春王晓峰张加勇徐晓娜马慧莉季安杨富华; 关键词：侧墙微纳加工

AlN陶瓷激光金属化的研究进展被引量：3: 2017年; 介绍了氮化铝(AlN)陶瓷激光金属化的进展和金属化过程中的问题以及主要解决方法。激光金属化利用激光的热效应使AlN表面发生热分解,直接生成金属导电层,该方法具有成本低、效率高、设备维护简单等优点。进一步介绍了激光器、光束质量、工艺参数等的优化方法以及AlN陶瓷金属化的应用,并对AlN陶瓷激光金属化在未来的发展进行了展望。; 黄平奖王晓峰李琦张紫辰潘岭峰; 关键词：激光光学金属化 AIN

纳米尺度相变存储器小型化研究进展被引量：1: 2015年; 相变存储器(PCRAM)因其具有非挥发性、循环寿命长、结构简单、与现有CMOS工艺相匹配等优点,在存储技术领域受到了广泛重视。综述了相变存储器器件小型化的研究现状,介绍了相变存储器的基本原理和特性。概述了目前相变存储器器件小型化的方法,主要包括器件结构优化和材料优化。器件结构优化的主要目的是减小有效相变体积以降低单元尺寸。材料优化主要是针对电极材料,选用性能优异的新材料替代传统金属材料作电极材料以实现器件小型化。对不同方法制作的各种器件结构所涉及的工艺特点进行了分析,并且比较了不同的器件结构对操作电流的影响,为相变存储器器件小型化的进一步发展提供了参考。; 周亚玲付英春王晓峰王晓东杨富华; 关键词：小型化电极材料

ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响被引量：2: 2008年; 首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342″).用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.; 何金孝段垚王晓峰崔军朋曾一平李晋闽; 关键词：溶胶-凝胶法

SOI衬底对3CSiC异质外延薄膜内残存应力的影响(英文): 2005年; 在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜.Raman测试结果表明,SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低.采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的应力释放现象进行了解释.; 王晓峰黄风义孙国胜王雷赵万顺曾一平李海鸥段晓峰; 关键词：喇曼应力释放

高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极(英文): 2005年; 研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况.; 王晓峰曾一平王保强朱占平杜晓晴李敏常本康; 关键词：多层结构

固体纳秒激光器应用于非晶硅薄膜结晶的研究被引量：1: 2017年; 多晶硅薄膜比非晶硅薄膜具有更高的电子迁移率,在器件中表现出更优良的性能,脉冲激光结晶非晶硅薄膜制备多晶硅薄膜的方法具有热积存小、对衬底影响小、成本低等优点。使用532 nm固体纳秒激光器进行了非晶硅薄膜激光结晶实验,为了解决直接使用高斯光束结晶时因光斑能量分布带来的结晶效果不均匀,首先基于光束整型系统将圆形的高斯光束整型成为线性平顶光束,而后研究单脉冲能量密度、脉冲个数、非晶硅薄膜厚度对结晶效果的影响。结果表明,线性平顶光束用于非晶硅薄膜结晶具有更好的均匀性,对于100 nm非晶硅薄膜,随着能量密度的增加,晶粒逐渐变大,直到表面出现热损伤,最大晶粒尺寸约为1μm×500 nm。随着脉冲个数的增加,表面粗糙度有减小的趋势,观察到的最小粗糙度约为2.38 nm。对于20nm超薄非晶硅薄膜,只有当能量密度位于134 mJ/cm^2和167 mJ/cm^2之间、脉冲个数大于或等于八个时才能观察到明显的结晶效果。; 王帅刘敏潘岭峰张紫辰王晓峰杨富华; 关键词：脉冲激光多晶硅薄膜

聚硅氮烷旋涂介电材料研究进展被引量：6: 2017年; 聚硅氮烷作为旋涂介电层的基础材料,可通过旋涂法、特定条件下转化来制备SiO_2介电层,工艺简单,介电层性能优异,有望克服传统化学气相沉积方法的缺点,在微电子领域具有重要的应用价值。系统总结分析了聚硅氮烷分子结构、基材表面处理方式、聚硅氮烷-二氧化硅转化方法以及旋涂层后处理方法等对所制备介电层性能的影响。发现采用全氢聚硅氮烷(PHPS)为原料,基体表面经亲水化处理,利用紫外-高温结合的转化方式,并结合等离子后处理工艺可以得到高质量的SiO_2介电层。简述了该旋涂介电材料在晶体管和低k多孔材料等领域的应用。基于以上分析,聚硅氮烷在旋涂介电层方面有巨大的潜力,对其分子结构的精细化控制、转化工艺的深入研究、应用领域的进一步拓宽是未来该材料的发展方向。; 王丹张宗波王晓峰薛锦馨徐彩虹; 关键词：聚硅氮烷微电子

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