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杨富华

作品数:475 被引量:248H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 372篇专利
  • 89篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 122篇电子电信
  • 32篇理学
  • 17篇自动化与计算...
  • 13篇电气工程
  • 13篇一般工业技术
  • 12篇机械工程
  • 11篇金属学及工艺
  • 8篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 92篇纳米
  • 59篇淀积
  • 53篇晶体管
  • 53篇刻蚀
  • 50篇电极
  • 47篇存储器
  • 43篇纳米线
  • 38篇衬底
  • 37篇相变存储
  • 37篇相变存储器
  • 34篇量子
  • 34篇半导体
  • 32篇金属
  • 32篇光刻
  • 28篇谐振器
  • 26篇纳米尺寸
  • 24篇相变材料
  • 23篇量子点
  • 23篇二极管
  • 22篇电子束曝光

机构

  • 474篇中国科学院
  • 22篇中国科学院大...
  • 5篇北京量子信息...
  • 2篇四川大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇波兰科学院
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇学研究院
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 475篇杨富华
  • 173篇王晓东
  • 93篇杨晋玲
  • 71篇韩伟华
  • 38篇张加勇
  • 36篇杨香
  • 34篇张明亮
  • 34篇刘雯
  • 34篇季安
  • 33篇郑厚植
  • 31篇袁泉
  • 28篇樊中朝
  • 28篇韩国威
  • 28篇赵永梅
  • 26篇朱银芳
  • 26篇付英春
  • 25篇毛旭
  • 25篇曾一平
  • 25篇颜伟
  • 23篇宁瑾

传媒

  • 20篇微纳电子技术
  • 18篇Journa...
  • 8篇物理学报
  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇物理
  • 3篇激光与光电子...
  • 3篇光谱学与光谱...
  • 2篇红外
  • 2篇材料导报
  • 2篇光散射学报
  • 2篇电子器件
  • 2篇中国光学
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇发光学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 16篇2024
  • 21篇2023
  • 14篇2022
  • 32篇2021
  • 28篇2020
  • 16篇2019
  • 20篇2018
  • 17篇2017
  • 27篇2016
  • 39篇2015
  • 34篇2014
  • 26篇2013
  • 37篇2012
  • 35篇2011
  • 30篇2010
  • 14篇2009
  • 10篇2008
  • 12篇2007
  • 15篇2006
  • 8篇2005
475 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种微机械谐振器的制备方法
本发明提供一种微机械谐振器的制备方法,其包括以下步骤:获取衬底结构,所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部;在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化,呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设...
杨晋玲逯玉洁朱银芳刘文立杨富华
文献传递
垂直相变存储器及制备方法
一种垂直相变存储器,包括:一衬底;一底部电极,该底部电极制作在衬底上;一下电热绝缘材料层,该下电热绝缘材料层制作在底部电极上;一低热导率材料包裹层,该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上;一上电热绝缘材料层,该上电...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
文献传递
应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构
一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构,包括:一耦合梁;一第一支撑梁,其一端纵向固定于耦合梁上的一侧;一第二支撑梁,其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧;该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小,结构...
司朝伟韩国威宁瑾赵永梅杨富华
文献传递
高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术
2023年
针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。
刘庆刘雯司朝伟司朝伟杨富华黄亚军
关键词:高深宽比法拉第笼
单光子探测装置的结构
一种单光子探测装置的结构,使用液氮制冷带尾纤的雪崩二极管,其特征在于:主要包括:一中空的隔热塑料塞;一中空拉杆,该中空拉杆的一端与中空的隔热塑料塞固接;一雪崩二极管,该雪崩二极管固接在中空的隔热塑料塞的另一端;一金属套管...
刘伟杨富华曾宇昕郑厚植
文献传递
微纳射频器件及其制备方法
一种微纳射频器件及制备方法,方法包括:在SOI片上生长隔离层;图形化隔离层,以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环;在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层;去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层,在SO...
陈泽基杨晋玲袁泉刘文立杨富华
文献传递
基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法
本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法,在单晶硅衬底上形成介质层,并形成感压薄膜;在感压薄膜正面淀积金属催化剂层,在谐振子区域离子注入碳,并促使石墨烯生长;淀积刻蚀金属以形成电学互联;刻蚀介...
张明亮季安王晓东杨富华
文献传递
GaAs/Si直接键合用GaAs表面化学活化技术被引量:1
2014年
研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合。在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好。
马静刘雯杨添舒时彦朋杨富华王晓东
关键词:直接键合清洗工艺原子力显微镜
共振隧穿二极管D触发器
一种共振隧穿二极管D触发器,包含有:一第一单稳态—双稳态转换逻辑单元;一第二单稳态-双稳态转换逻辑单元;一锁存单元由第一反相器和第二反相器构成,第一反相器的输出接第二反相器的输入端;第二反相器的输出接第一反相器的输入端;...
杜睿杨富华
文献传递
砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法
本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法,包括:对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描,获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压;对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照,获取正电极面的光学显微图像;...
王晓东计春雪包怡迪陈啸岭李晔刘雯刘庆杨富华
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