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张加勇

作品数:38 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 30篇纳米
  • 27篇存储器
  • 26篇纳米尺寸
  • 25篇相变存储
  • 25篇相变存储器
  • 24篇淀积
  • 12篇刻蚀
  • 12篇干法刻蚀
  • 11篇相变材料
  • 10篇电子束曝光
  • 10篇光刻
  • 9篇抛光
  • 9篇抛光表面
  • 8篇金属
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 7篇湿法腐蚀
  • 6篇光刻分辨率
  • 6篇插塞
  • 5篇电极

机构

  • 38篇中国科学院

作者

  • 38篇杨富华
  • 38篇张加勇
  • 31篇王晓东
  • 21篇马慧莉
  • 16篇程凯芳
  • 11篇季安
  • 7篇付英春
  • 6篇田晓丽
  • 4篇白云霞
  • 4篇梁秀琴
  • 1篇徐晓娜
  • 1篇王晓峰

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 12篇2012
  • 12篇2011
  • 10篇2010
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法,该方法包括:在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层;旋涂光刻胶作为牺牲层,光刻,形成条形的光刻胶掩模;通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面,使第一...
付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
文献传递
平面相变存储器的制备方法
一种平面相变存储器的制备方法,包括:在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
一种高密度相变存储器的制备方法
一种高密度相变存储器的制备方法,包括:在衬底上淀积一层金属层;在金属层上面淀积多周期的上电极层,该多周期的上电极层的每一周期包括:一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料,每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽;在多周...
程凯芳王晓峰王晓东张加勇马慧莉杨富华
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法,包括:在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层;旋涂SU-8胶并电子束曝光;干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面;淀积第二功能材料层;经电子束曝光形成横...
付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
侧墙技术在相变存储器中的应用
2012年
从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题;接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术,并将其在PCRAM中的应用成果进行了分类;然后从加热电极的制备、相变材料限制结构的制备、新相变材料的制备与表征和器件间互联等4个方面展开叙述;最后展望了该技术在相变存储领域应用发展的趋势。侧墙技术因其具备自对准的特点,制备工艺可控性好,制备精度不依赖于光刻精度,在纳米技术飞速发展的今天,侧墙技术将会在更高精度上发挥其作用。
付英春王晓峰张加勇徐晓娜马慧莉季安杨富华
关键词:侧墙微纳加工
制作纳米尺寸间距的电极的方法
一种制作纳米尺寸间距的电极的方法,该方法包括:在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层;在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上...
张加勇王晓峰杨富华王晓东
文献传递
垂直相变存储器及制备方法
一种垂直相变存储器,包括:一衬底;一底部电极,该底部电极制作在衬底上;一下电热绝缘材料层,该下电热绝缘材料层制作在底部电极上;一低热导率材料包裹层,该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上;一上电热绝缘材料层,该上电...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
文献传递
垂直相变存储器及制备方法
一种垂直相变存储器,包括:一衬底;一底部电极制作在衬底上;一下电热绝缘材料层制作在底部电极上;一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上;一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上;其中所述的下电热绝缘材料层、低热导...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
文献传递
相变存储器的制作方法
一种相变存储器的制作方法,该方法包括:步骤1:在衬底上淀积一层第一绝缘材料层;步骤2:在第一绝缘材料层上淀积一层金属层,作为相变存储器的下电极;步骤3:在金属层上制备一层第二绝缘材料层;步骤4:在第二绝缘材料层上采用微纳...
马慧莉王晓峰张加勇程凯芳王晓东季安杨富华
文献传递
一种纳米尺寸相变存储器的制作方法
本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法,首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料,然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP,最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料,纳米...
张加勇王晓峰田晓丽杨富华王晓东
共4页<1234>
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