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张进书

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE HBT SIGE_HBT SOI UHV/CVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈培毅
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE HBT 量子点 UHV/CVD SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金晓军
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT 双极晶体管 流体力学 锗化硅 GESI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗台秦
供职机构：香港科技大学
研究主题：SOI 硅 MOSFET SIGE异质结双极晶体管 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾宏勇
供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院
研究主题：HBT SIGE SIGE_HBT SI 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱伟
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT HBT 锗化硅 质子交换膜 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王于辉
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：可靠性 双极晶体管 超高频晶体管 超高频 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁春广
供职机构：电子部
研究主题：PECVD法 PECVD 氮化硅 薄膜应力 应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高颖
供职机构：台湾交通大学
研究主题：HBT SIGE异质结双极晶体管 发射区 双极晶体管 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王庆海
供职机构：台湾交通大学
研究主题：HBT SIGE异质结双极晶体管 发射区 双极晶体管 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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