2024年12月19日
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刘存生
作品数:
34
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安微电子技术研究所
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发文基金:
国防科技技术预先研究基金
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相关领域:
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合作作者
陈宝忠
西安微电子技术研究所
孙有民
西安微电子技术研究所
王小荷
西安微电子技术研究所
薛智民
西安微电子技术研究所
赵杰
西安微电子技术研究所
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陈宝忠
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:平带电压 多晶 掺杂 半导体集成电路 抗辐射加固
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所获资助
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王小荷
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:氧 抗辐射加固 抗辐射 深源 MOS场效应晶体管
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孙有民
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 发射区 集电区 总剂量辐射 电压
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薛智民
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 击穿电压
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所获资助
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薛东风
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 抗辐射 PNP晶体管
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研究领域
赵杰
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
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供职机构
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陈晓宇
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:场区 硅栅 HTO SUB 总剂量辐射
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梁永杰
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:粗糙度 表面粗糙度 LOSS CMOS 35ΜM_CMOS
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李宁
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:掺杂 准静态 平带电压 底片 程控电源
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王清波
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:电压 发射区 集电区 晶体管结构 总剂量辐射
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