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赵杰

作品数：31 被引量：2H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇晶体管
  • 9篇总剂量
  • 7篇总剂量辐射
  • 6篇电压
  • 5篇晶体管结构
  • 5篇集电区
  • 5篇二极管
  • 5篇发射区
  • 4篇退火
  • 4篇浓度梯度
  • 4篇抗辐射
  • 4篇NPN晶体管
  • 4篇PNP晶体管
  • 4篇掺杂
  • 4篇场区
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电路
  • 3篇电阻
  • 3篇栅氧化

机构

  • 31篇西安微电子技...

作者

  • 31篇赵杰
  • 24篇孙有民
  • 19篇王清波
  • 12篇薛智民
  • 9篇薛东风
  • 9篇陈晓宇
  • 9篇杜欣荣
  • 3篇刘存生
  • 3篇陈宝忠
  • 2篇王勇
  • 1篇魏海龙
  • 1篇廖雪
  • 1篇单光宝
  • 1篇尤路

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 4篇2022
  • 8篇2021
  • 7篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2014
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法
本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，提供P型衬底，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在...
陈晓宇赵杰孙有民薛智民
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一种超低电压输出的基准电路结构
本发明提供一种超低电压输出的基准电路结构，包括启动电路，所述启动电路输出端分别连接有PTAT电流产生电路和基准电压产生电路；所述PTAT电流产生电路的输出端连接基准电压产生电路；所述启动电路用于建立起始工作点，所述PTA...
张铎澜廖雪武琪尤路魏海龙赵杰
一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺
本发明一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺，在硅衬底上形成有源区，之后在NMOS的有源区上形成P阱，在PMOS的有源区上形成N阱，然后形成场氧化层和进行阈值注入，形成栅氧层和多晶栅，接下来按照0.13～0.8μm硅栅C...
陈晓宇曹磊赵杰孙有民
文献传递
一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺
本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...
陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民
文献传递
一种PIP电容的制备方法
本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSi<Sub>x</Sub>薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO<Sub>2</Su...
陈晓宇薛东风赵杰刘存生陈宝忠
一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法
本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火...
王清波薛东风薛智民孙有民赵杰
文献传递
一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
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一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法
本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之...
王成熙杜欣荣王清波赵杰卓青青温富刚
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一种光吸收能力强的光敏二极管及制备方法
本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工...
王成熙王英民赵杰王勇陈斌孙有民王清波温富刚
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