杜欣荣
- 作品数：12 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于三维集成电路的硅通孔互连高频电学模型
- 确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具分别验证了上述解析模型的精...
- 单光宝刘松杜欣荣
- 关键词：三维集成电路
- 一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
- 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
- 赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
- 一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法
- 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之...
- 王成熙杜欣荣王清波赵杰卓青青温富刚
- 文献传递
- 一种提升双极PJFET阈值均匀性的方法
- 本发明提供一种提升双极PJFET阈值均匀性的方法，通过不同能量的多次高能离子注入和退火激活扩散杂质直接形成PJFET的顶栅和沟道的掺杂分布，从而消除了原有工艺中高温氧化扩散，造成了PJFET沟道和顶栅杂质再分布引起阈值电...
- 卓青青王成熙陈宝忠刘存生赵杰温富刚杜欣荣
- 一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
- 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
- 赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
- 文献传递
- TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺被引量：1
- 2015年
- 为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验。通过优化键合工艺参数,获取了性能稳定的金属间化合物(IMC)层,且剪切力键合强度值达到了国家标准,具备良好的热、机械特性。将其应用到多芯片逐层键合工艺实验当中,成功获取了4层堆叠样品,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在TSV立体集成中的应用潜力。
- 张巍单光宝杜欣荣
- 关键词：低温键合
- 一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法
- 本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管...
- 王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣温富刚卓青青
- 文献传递
- 一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法
- 本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横...
- 赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
- 文献传递
- 一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法
- 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之...
- 王成熙杜欣荣王清波赵杰卓青青温富刚
- 基于DMD的数字无掩模光刻成像系统设计
- 随着微电子学、微光学、微机械技术的迅猛发展,微细加工技术也得到了不断的提高和改进。微光学元件也在现在通讯、军事应用、空间技术、超精加工、信息处理、生物医学以及娱乐消费等众多领域中得到广泛应用。这使得与微光学息息相关的设计...
- 杜欣荣
- 关键词：DMD无掩模光刻
- 文献传递
