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薛东风

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇总剂量
  • 6篇总剂量辐射
  • 6篇晶体管
  • 5篇晶体管结构
  • 3篇抗辐射
  • 3篇掺杂
  • 2篇低温退火
  • 2篇电场
  • 2篇多层布线
  • 2篇双极工艺
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇退火
  • 2篇浓度梯度
  • 2篇稳压二极管
  • 2篇界面态
  • 2篇快速退火
  • 2篇击穿电压
  • 2篇二极管
  • 2篇变化量

机构

  • 11篇西安微电子技...

作者

  • 11篇薛东风
  • 9篇赵杰
  • 8篇王清波
  • 8篇孙有民
  • 8篇薛智民
  • 6篇杜欣荣
  • 3篇刘存生
  • 2篇陈晓宇
  • 2篇陈宝忠
  • 1篇李齐

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2003
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法
本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位...
王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣卓青青
一种PIP电容的制备方法
本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSi<Sub>x</Sub>薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO<Sub>2</Su...
陈晓宇薛东风赵杰刘存生陈宝忠
一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法
本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火...
王清波薛东风薛智民孙有民赵杰
文献传递
一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法
本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火...
王清波薛东风薛智民孙有民赵杰
一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管...
王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣温富刚卓青青
文献传递
一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...
赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣
文献传递
一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法
本发明公开了一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法，涉及硅微电子领域。将输入/输出MOS和选择管的栅介质层由SiO<Sub>2</Sub>单栅介质层调整为HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅介质层，HTO/S...
陈晓宇薛东风刘存生陈宝忠
薄栅氮化工艺技术研究
2003年
介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。
薛东风刘存生李齐
关键词：MOS集成电路栅氧化MOS器件
一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法
本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位...
王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣卓青青
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