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陈宝忠

作品数：30 被引量：1H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇掺杂
  • 6篇平带电压
  • 6篇刻蚀
  • 5篇电路
  • 5篇多晶
  • 5篇集成电路
  • 4篇底片
  • 4篇准静态
  • 4篇外延层
  • 4篇抗辐射
  • 4篇抗辐射加固
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体集成
  • 4篇半导体集成电...
  • 3篇电压
  • 3篇电阻
  • 3篇双极器件
  • 3篇自掺杂
  • 3篇总剂量
  • 3篇硅衬底

机构

  • 30篇西安微电子技...

作者

  • 30篇陈宝忠
  • 10篇刘存生
  • 5篇李宁
  • 4篇王小荷
  • 4篇王清波
  • 4篇孙有民
  • 3篇赵杰
  • 2篇薛东风
  • 2篇陈晓宇
  • 1篇杜欣荣
  • 1篇梁永杰
  • 1篇薛智民
  • 1篇吴兵

传媒

  • 1篇电子与封装
  • 1篇集成电路与嵌...

年份

  • 3篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2010
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法
本发明一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法，所述方法包括步骤1，先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜，得到涂有光刻胶膜的硅衬底，之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光，将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的...
李林曾坤信会菊郎刚平陈宝忠
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一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法
本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO<Sub>2</Sub>氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之...
宋坤王英民孙有民王小荷曹磊陈宝忠刘存生
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一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法
本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所...
宋坤王英民曹磊刘存生陈宝忠王小荷
一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法
本发明一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法，通过将易于实现的扩散操作融入含有待监控衬底片的MOS结构之中，使测试区域O<Sub>1</Sub>和区域O<Sub>2</Sub>带有不同的掺杂分布，进一步测试MOS结构区域O<S...
葛洪磊刘如征李宁陈宝忠
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一种监控离子注入掺杂浓度的方法
本发明一种监控离子注入掺杂浓度的方法，通过将离子注入操作融入MOS结构衬底片的任意一半表面，使测试区域表面两边带有不同的掺杂分布，进一步测试两边的准静态C‑V特性和高频C‑V特性，计算出表面两边的平带电压差值；在同一工艺...
葛洪磊刘如征李宁陈宝忠
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一种高厄利电压的双极器件及其制作方法
本发明公开了一种高厄利电压的双极器件及其制作方法，所述双极器件包括3个金属连线和衬底；衬底上方依次设置N埋层、第一外延层、第二外延层和SiO<Sub>2</Sub>层；3个金属连线分别穿过SiO<Sub>2</Sub>层...
任永宁陈宝忠孙有民王清波刘如征葛洪磊马朝柱刘依思
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一种倾角硅槽刻蚀工艺
本发明公开了一种倾角硅槽刻蚀工艺，包括以下步骤：在待刻蚀晶圆的表面生成硬掩膜层，在硬掩膜层表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的硬掩膜层窗口；在露出的窗口处进行硬掩膜刻蚀，刻蚀至晶圆表面；在完成硬掩膜刻蚀的窗口处进行硅槽...
郝军李林代鹏昊何鑫鑫陈宝忠
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一种多晶硅表面粗糙度的处理方法
本发明公开了一种多晶硅表面粗糙度的处理方法，属于半导体集成电路领域，在进行多晶前层氧化工艺前，对待氧化的硅片进行酸液预处理和对氧化设备进行氧化预处理，多晶前层氧化后，间隔一定时间进行多晶淀积工艺，所述间隔时间小于2h。本...
葛洪磊梁永杰刘如征陈宝忠刘存生刘依思
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一种监控离子注入掺杂浓度的方法
本发明一种监控离子注入掺杂浓度的方法，通过将离子注入操作融入MOS结构衬底片的任意一半表面，使测试区域表面两边带有不同的掺杂分布，进一步测试两边的准静态C‑V特性和高频C‑V特性，计算出表面两边的平带电压差值；在同一工艺...
葛洪磊刘如征李宁陈宝忠
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一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法
本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛...
杨尚洁杨永峰张万垚李林折宇陈宝忠
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