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刘存生

作品数：34 被引量：1H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 10篇晶体管
  • 7篇抗辐射
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇电路
  • 5篇电阻
  • 5篇多晶
  • 5篇集成电路
  • 5篇沟槽
  • 5篇氧
  • 4篇淀积
  • 4篇深源
  • 4篇抗辐射加固
  • 4篇刻蚀
  • 4篇光刻
  • 4篇半导体
  • 3篇单粒子
  • 3篇亚微米
  • 3篇涂胶
  • 3篇总剂量

机构

  • 34篇西安微电子技...

作者

  • 34篇刘存生
  • 10篇陈宝忠
  • 8篇王小荷
  • 8篇孙有民
  • 7篇薛智民
  • 3篇薛东风
  • 3篇赵杰
  • 2篇陈晓宇
  • 2篇梁永杰
  • 1篇李宁
  • 1篇黄玉文
  • 1篇刘佑宝
  • 1篇李齐
  • 1篇唐威
  • 1篇吴龙胜
  • 1篇杜欣荣
  • 1篇王清波
  • 1篇孙丽玲
  • 1篇公衍刚
  • 1篇李宁

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇集成电路与嵌...

年份

  • 7篇2024
  • 11篇2023
  • 4篇2022
  • 7篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2003
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多晶硅表面粗糙度的处理方法
本发明公开了一种多晶硅表面粗糙度的处理方法，属于半导体集成电路领域，在进行多晶前层氧化工艺前，对待氧化的硅片进行酸液预处理和对氧化设备进行氧化预处理，多晶前层氧化后，间隔一定时间进行多晶淀积工艺，所述间隔时间小于2h。本...
葛洪磊梁永杰刘如征陈宝忠刘存生刘依思
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功率MOSFET抗单粒子加固技术研究
2024年
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm^(2)/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。
陈宝忠宋坤王英民刘存生刘存生赵辉王小荷杨丽侠邢鸿雁王晨杰
关键词：功率MOSFET单粒子效应抗辐射加固单粒子烧毁
一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法
本发明提供一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法，具体步骤如下，在硅基表面沟槽中填充双层介质，硅基表面由上到下形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层上进行第一次光刻胶涂胶；对光刻胶和第一介质层进行刻蚀，刻蚀后硅基表面的光刻...
王一义曾坤郝军代鹏昊李林刘存生
文献传递
一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备
本发明公开了一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备，在涂胶完成的圆片上，使用同一张光刻版在第一次曝光后，不重新更换光刻版的情况下，设置第一次曝光参数，根据第一次曝光参数对光刻版进行一次曝光，根据光刻版一次曝光后...
赵永勋郎刚平闫树文马少亮李攀田曙光葛洪磊刘存生
一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法
本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO<Sub>2</Sub>氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之...
宋坤王英民孙有民王小荷曹磊陈宝忠刘存生
文献传递
一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法
本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所...
宋坤王英民曹磊刘存生陈宝忠王小荷
一种提升铬硅薄膜电阻阻值稳定性的方法
本发明提供了一种提升铬硅薄膜电阻阻值稳定性的方法，基于现有的集成电路制作方法，在衬底上，依次淀积绝缘层和铬硅电阻层，并对铬硅电阻层进行光刻工艺、刻蚀工艺后，再淀积金属连线层，并制备图形后进行湿法金属刻蚀和金属合金后，再淀...
李博折宇陈宝忠赵沫沫李宁王刚平张旭杰姚晓军刘存生
亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
2010年
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。对沟道长度为0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm的H栅PD SOI MOSFET单边体引出器件进行工艺加工及测试,总结出在现有工艺下适合单边体引出方式的MOSFET器件尺寸,并对引起短沟道PMOSFET漏电的因素进行了分析,提出了改善方法;对提高PD CMOS/SOI集成电路的设计密度和改进制造工艺具有一定的指导意义。
李宁刘存生孙丽玲薛智民
关键词：亚微米工艺浮体效应
一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺
本发明提供一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺，包括N型衬底，N型衬底的上表面埋有N埋层和P埋层，N型衬底向上延伸有N型外延层，N型外延层覆盖N埋层和P埋层，P埋层上设有P阱。本发明对于CMOS集成电路，在N...
任永宁刘如征杨永峰葛洪磊刘存生刘依思李钊
文献传递
一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法
本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内...
王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
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