王小荷
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 功率MOSFET抗单粒子加固技术研究
- 2024年
- 针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm^(2)/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。
- 陈宝忠宋坤王英民刘存生刘存生赵辉王小荷杨丽侠邢鸿雁王晨杰
- 关键词：功率MOSFET单粒子效应抗辐射加固单粒子烧毁
- 一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜...
- 宋坤王英民孙有民薛智民王小荷曹磊
- 文献传递
- VDMOS器件单粒子加固技术研究
- 本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理,进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究,研制出了加固样品,并通过地面模拟试验源的辐照试验,对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明,经加固的器件样品其抗...
- 王小荷黄玉文耿增建
- 文献传递
- 一种星用抗辐射沟槽型MOS管的加固结构和制备方法
- 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内...
- 王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
- 一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法
- 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介...
- 王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
- 一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法
- 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO<Sub>2</Sub>氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之...
- 宋坤王英民孙有民王小荷曹磊陈宝忠刘存生
- 文献传递
- 一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法
- 本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所...
- 宋坤王英民曹磊刘存生陈宝忠王小荷
- 一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法
- 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内...
- 王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
- 文献传递
- 一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法
- 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介...
- 王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
- 文献传递
- 一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法
- 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO<Sub>2</Sub>氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之...
- 宋坤王英民孙有民王小荷曹磊陈宝忠刘存生
