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杨成樾

作品数：147 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

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中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 沟道 半导体 刻蚀
发表作品相关人物相关机构所获资助研究领域
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