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车相辉

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电流比
  • 1篇电流密度
  • 1篇隧穿
  • 1篇太赫兹
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇赫兹
  • 1篇二极管
  • 1篇峰谷电流比
  • 1篇高电流
  • 1篇高电流密度
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇陈宏泰
  • 1篇杨大宝
  • 1篇顾国栋
  • 1篇车相辉
  • 1篇冯志红
  • 1篇张立森
  • 1篇梁士雄
  • 1篇郝文嘉

传媒

  • 1篇电子技术应用

年份

  • 1篇2019
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2
2019年
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。
车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红
关键词：共振隧穿二极管峰谷电流比
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