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车相辉
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
郝文嘉
中国电子科技集团公司第十三研究...
梁士雄
中国电子科技集团公司第十三研究...
张立森
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冯志红
中国电子科技集团公司第十三研究...
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作者
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陈宏泰
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张立森
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郝文嘉
传媒
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年份
1篇
2019
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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管
被引量:2
2019年
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。
车相辉
梁士雄
张立森
顾国栋
郝文嘉
杨大宝
陈宏泰
冯志红
关键词:
共振隧穿二极管
峰谷电流比
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