朱彦青
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于LTCC技术的手机天线开关滤波器
- 2013年
- 采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。
- 朱彦青许正荣戴雷陈新宇
- 关键词：低温共烧陶瓷低通滤波器
- 应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量：3
- 2015年
- 设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM（误差矢量幅度）值小于3%（输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s）,可以满足WLAN应用对线性度的需求。
- 何旭郑远朱彦青陈新宇杨磊
- 关键词：无线局域网线性功率放大器异质结双极型晶体管误差矢量幅度
- 0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器被引量：10
- 2014年
- 设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。
- 吴健郑远艾宣顾晓瑀朱彦青陈新宇杨磊钱峰
- 关键词：低噪声放大器高线性高增益
- 基于SiGe BiCMOS工艺的802.11ac系统射频前端芯片设计被引量：1
- 2018年
- 基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15～5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护电路。芯片面积为1.56mm×1.56mm,封装采用尺寸为2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管脚QFN封装形式。芯片电源电压为5V,控制电压为3.3V。测试结果表明,发射通路的直流电流为120mA,增益为29dB,输出P-1为27dBm,当输出功率为18dBm时误差向量幅度为-34dB;接收通路的直流电流为6mA,增益为12.5dB,噪声系数为2.4dB,输出P-1为10dBm。同时,芯片集成功率检测功能可用于实现发射系统的动态增益控制。ESD测试结果显示,各端口的ESD保护能力大于1 500V(HBM模式)。
- 陈亮陈亮陈悦鹏
