王琪
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种掩膜板的制作方法、制作系统及掩膜板
- 本文公开了一种掩膜板的制作方法和掩膜板。所述掩膜板的制作方法包括：在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上...
- 侯学成王琪卢凯
- 文献传递
- TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量：3
- 2017年
- 本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
- 张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏
- 关键词：漏电流AL电极
- 一种掩膜板的制作方法、制作系统及掩膜板
- 本文公开了一种掩膜板的制作方法和掩膜板。所述掩膜板的制作方法包括：在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上...
- 侯学成王琪卢凯
