李良杰
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 显示面板和显示装置
- 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。该显示面板划分为多个像素区，所述像素区内设置有薄膜晶体管，栅线和数据线交叉位于相邻所述像素区之间，所述像素区在对应着所述薄膜晶体管的区域、所述栅线对应的区域或所述数...
- 王彦强李良杰董皓
- 文献传递
- TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量：3
- 2017年
- 本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
- 张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏
- 关键词：漏电流AL电极
- 显示面板和显示装置
- 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。该显示面板划分为多个像素区，所述像素区内设置有薄膜晶体管，栅线和数据线交叉位于相邻所述像素区之间，所述像素区在对应着所述薄膜晶体管的区域、所述栅线对应的区域或所述数...
- 王彦强李良杰董皓
